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公开(公告)号：CN115997338A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202080104977.1
申请日：2020-09-15
Applicant: 三星电子株式会社 , 美科陶瓷科技有限公司
IPC: H02N13/00
Abstract: 公开了一种能够在晶圆的整个表面上进行均匀等离子体处理的基座及其制造方法。提供一种基座，包括：电介质板，具有上面装载有晶圆的上表面和面对上表面的下表面；以及埋置于电介质板中的内部RF电极和外部RF电极，其中，相对于下表面，内部RF电极埋置于其中的第一平面的高度小于外部RF电极埋置于其中的第二平面的高度。
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公开(公告)号：CN110867361A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910534236.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 一种被配置用于等离子体处理室的RF感测装置包括穿透单元，沿向上/向下方向开口；主返回路径单元，围绕穿透单元的全部或一部分；以及辅返回路径单元，位于穿透单元与主返回路径单元之间，与主返回路径单元间隔开，并围绕穿透单元的全部或一部分。主返回路径单元和辅返回路径单元包括电流沿向上/向下方向中的一个方向流过的路径。
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公开(公告)号：CN109698110B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811235291.7
申请日：2018-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本公开提供了中空阴极以及用于制造半导体器件的装置和方法。一种中空阴极包括具有阴极孔的绝缘板。底电极在绝缘板下面。底电极限定第一孔，该第一孔具有比阴极孔的宽度大的宽度。顶电极在绝缘板的与底电极相反的一侧。顶电极限定第二孔，该第二孔沿着垂直于绝缘板的上表面的方向与第一孔对准。
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公开(公告)号：CN115565911A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210777663.9
申请日：2022-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 提供了一种半导体处理系统及其控制方法。该半导体处理系统包括：半导体处理室，其包括设置在室外壳中的静电卡盘和用于将第一射频(RF)电力供应至设置在静电卡盘中的内部电极的第一电力供应器；电压测量装置，其测量对应于第一RF电力的电压，以输出数字信号；以及控制装置，当基于数字信号确定电压增大至预定参考范围内时,其将互锁控制信号输出至半导体处理室。静电卡盘被配置为使得晶圆能够安装于静电卡盘的表面上。
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公开(公告)号：CN116364513A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211629767.1
申请日：2022-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供了一种等离子体控制装置，包括：等离子体电极，设置在等离子体腔室中，并且具有基频的射频(RF)功率被施加到该等离子体电极以生成等离子体；边缘电极，与等离子体电极相邻设置，并且对应于等离子体边缘边界区；以及等离子体控制电路，电连接到边缘电极，该等离子体控制电路被配置为控制基频分量、由等离子体的非线性生成的谐波分量以及由基频分量和谐波分量中的每一个和等离子体腔室中的频率分量生成的互调失真频率分量在等离子体边缘边界区中的电边界条件，其中，等离子体控制电路被配置为改变电边界条件以控制等离子体腔室中的驻波。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109559967A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811117706.0
申请日：2018-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 提供了一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。所述等离子体处理装置包括：腔室，其包括用于处理衬底的空间；衬底台，其在所述腔室内支撑所述衬底并且包括下电极；上电极，其在所述腔室内面向所述下电极；第一电源，其包括正弦波电源，所述正弦波电源被配置为将正弦波功率施加到所述下电极以在所述腔室内形成等离子体；以及第二电源，其被配置为将非正弦波功率施加到所述上电极以产生电子束。
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公开(公告)号：CN120048733A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202410825826.5
申请日：2024-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/223 , H01J37/32
Abstract: 提供一种处理基底的方法。所述方法包括：在基底处理设备的台上提供基底；以及对台上的基底进行处理。对基底进行处理包括：将源功率提供到基底处理设备；以及将偏置功率提供到基底处理设备。将偏置功率提供到基底处理设备包括：将第一非正弦波提供到台的等离子体电极；以及将第二非正弦波提供到台的边缘电极。第二非正弦波的占空比不同于第一非正弦波的占空比。
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公开(公告)号：CN110867361B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN201910534236.6
申请日：2019-06-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J37/32
Abstract: 一种被配置用于等离子体处理室的RF感测装置包括穿透单元，沿向上/向下方向开口；主返回路径单元，围绕穿透单元的全部或一部分；以及辅返回路径单元，位于穿透单元与主返回路径单元之间，与主返回路径单元间隔开，并围绕穿透单元的全部或一部分。主返回路径单元和辅返回路径单元包括电流沿向上/向下方向中的一个方向流过的路径。
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公开(公告)号：CN118471778A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410028100.9
申请日：2024-01-09
Abstract: 一种介电结构可以包括：绝缘层，其在第一方向上延伸；多个导体层，其设置在绝缘层的第一表面上，并且在第一方向上彼此间隔开；至少一个半导体层，其设置在绝缘层的与第一表面相对的第二表面上，并且在与第一方向交叉的第二方向上与多个导体层中的彼此相邻的至少两个导体层中的每一个重叠；第一保护层，其在绝缘层的第一表面上覆盖多个导体层；以及第二保护层，其在绝缘层的第二表面上覆盖至少一个半导体层。
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