半导体处理系统及其控制方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115565911A

    公开(公告)日:2023-01-03

    申请号:CN202210777663.9

    申请日:2022-07-04

    Abstract: 提供了一种半导体处理系统及其控制方法。该半导体处理系统包括:半导体处理室,其包括设置在室外壳中的静电卡盘和用于将第一射频(RF)电力供应至设置在静电卡盘中的内部电极的第一电力供应器;电压测量装置,其测量对应于第一RF电力的电压,以输出数字信号;以及控制装置,当基于数字信号确定电压增大至预定参考范围内时,其将互锁控制信号输出至半导体处理室。静电卡盘被配置为使得晶圆能够安装于静电卡盘的表面上。

    等离子体控制装置和等离子体处理系统

    公开(公告)号:CN116364513A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202211629767.1

    申请日:2022-12-13

    Abstract: 提供了一种等离子体控制装置,包括:等离子体电极,设置在等离子体腔室中,并且具有基频的射频(RF)功率被施加到该等离子体电极以生成等离子体;边缘电极,与等离子体电极相邻设置,并且对应于等离子体边缘边界区;以及等离子体控制电路,电连接到边缘电极,该等离子体控制电路被配置为控制基频分量、由等离子体的非线性生成的谐波分量以及由基频分量和谐波分量中的每一个和等离子体腔室中的频率分量生成的互调失真频率分量在等离子体边缘边界区中的电边界条件,其中,等离子体控制电路被配置为改变电边界条件以控制等离子体腔室中的驻波。

    等离子体处理装置和等离子体处理方法

    公开(公告)号:CN109559967A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201811117706.0

    申请日:2018-09-20

    Abstract: 提供了一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。所述等离子体处理装置包括:腔室,其包括用于处理衬底的空间;衬底台,其在所述腔室内支撑所述衬底并且包括下电极;上电极,其在所述腔室内面向所述下电极;第一电源,其包括正弦波电源,所述正弦波电源被配置为将正弦波功率施加到所述下电极以在所述腔室内形成等离子体;以及第二电源,其被配置为将非正弦波功率施加到所述上电极以产生电子束。

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