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公开(公告)号：CN1263923A
公开(公告)日：2000-08-23
申请号：CN99111114.1
申请日：1999-07-23
Applicant: 三星综合化学株式会社
Inventor： 李吉成 , 李在锡 , 金硕珍 , 李荣基 , 张斗远
IPC: C09G1/08
Abstract: 本发明涉及包含30—99wt%的去离子水、0.1—50wt%的金属氧化物粉末和0.01—20wt%的环胺的抛光组合物。该抛光组合物可用于制备集成电路用的薄膜进行化学机械抛光,并具有抛光后在薄膜上留下的微小划痕减至最少的效果。因此它可应用于高度集成电路如浅槽隔离的制备工艺。
