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公开(公告)号：CN111220838A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201911146295.2
申请日：2019-11-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置，其目的在于得到一种能够抑制由分流电阻引起的发热、提高电流检测精度的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：第一半导体装置；第二半导体装置；交流输出端子；第一分流电阻，其一端与第一半导体装置电连接，另一端与交流输出端子电连接；第二分流电阻，其一端与第二半导体装置电连接，另一端与交流输出端子电连接；第一配线，其将第一分流电阻的一端和第二分流电阻的一端电连接；第二配线，其将第一分流电阻的另一端和第二分流电阻的另一端电连接；以及第一感测电阻和第二感测电阻，它们在第一分流电阻的一端与第二分流电阻的一端之间相互串联连接。
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公开(公告)号：CN119673872A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411285088.6
申请日：2024-09-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 抑制由半导体装置的发热引起的盖的挠曲。半导体装置具有：壳体(6)，其收容半导体芯片(1)；封装材料(9)，其被注入至壳体(6)内；以及盖(10)，其嵌入至壳体(6)的开口部。盖(10)包含局部重叠的第1盖部件(11)及第2盖部件(12)。第1盖部件(11)在与第2盖部件(12)重叠的部分具有第1切口部(11a)及第1凸部(11b)。第2盖部件(12)在与第1盖部件(11)重叠的部分具有第2切口部(12a)及第2凸部(12b)。第1盖部件(11)和第2盖部件(12)以向第1切口部(11a)插入第2凸部(12b)，向第2切口部(12a)插入第1凸部(11b)的方式组合。
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公开(公告)号：CN111220838B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201911146295.2
申请日：2019-11-21
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置，其目的在于得到一种能够抑制由分流电阻引起的发热、提高电流检测精度的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：第一半导体装置；第二半导体装置；交流输出端子；第一分流电阻，其一端与第一半导体装置电连接，另一端与交流输出端子电连接；第二分流电阻，其一端与第二半导体装置电连接，另一端与交流输出端子电连接；第一配线，其将第一分流电阻的一端和第二分流电阻的一端电连接；第二配线，其将第一分流电阻的另一端和第二分流电阻的另一端电连接；以及第一感测电阻和第二感测电阻，它们在第一分流电阻的一端与第二分流电阻的一端之间相互串联连接。
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