公开(公告)号：CN1438688A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN02140029.6

申请日：2002-12-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 国清辰也 ,  永久克己 ,  山下恭司 ,  海本博之 ,  小林睦 ,  大谷一弘

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7833 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L27/092 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/7801 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 获得一种具有能够高精度地测定电容值的CBCM用电路的半导体器件。构成CBCM用电路的MOS晶体管具有以下结构。亦即，在主体区16的表面内选择地形成源·漏区4、4’，分别形成从相互对置的源·漏区4、4’的前端部延伸的延伸区5、5’。在包含延伸区5、5’的源·漏区4、4’之间的上面形成栅绝缘膜7，在栅绝缘膜7上形成栅电极8。但是，在延伸区5(5’)的前端部和延伸区5的周边部，不形成相当于比沟道区的杂质浓度更高的已有结构的小袋区6(6’)的区域。

公开(公告)号：CN1462068A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN03138118.9

申请日：2003-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 山下恭司 ,  海本博之 ,  小林睦 ,  大谷一弘 ,  国清辰也 ,  永久克己

IPC: H01L21/66 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: G01R31/275 ,  G01R31/312

Abstract: 一种半导体装置和电容测量方法，CBCM测量装置具有：PMIS晶体管(11)和(12)、NMIS晶体管(13)和(14)、与第一节点(N1)相连的参照用第一导体部(15)、在与参照用第一导体部之间构成虚设电容的参照用第二导体部(17)、与第二节点相连的测试用第一导体部、与测试用第一导体部之间构成测试电容的第二导体部(18)。通过控制电压(V1、V2)，控制各晶体管的导通和截止，从流过第一、第二节点的电流测量测试电容器中的目标电容器的电容。通过增大虚设电容，使电容测量精度提高。提供电容的测量精度高的半导体装置或电容的测量方法。