公开(公告)号：CN101016158A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200510111919.9

申请日：2005-12-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱明原 ,  李瑛 ,  李文献 ,  金红明 ,  任钟鸣 ,  李喜 ,  窦士学

IPC: C01B35/04 ,  H01B12/00

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场作用下制备化学掺杂的MgB2系超导材料的制备方法。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；再按不超过Mg和B粉料总重量的15％加入掺杂物质，在套管法的基础上运用脉冲频率为0.03～0.10赫兹，磁场强度为1～100T(特斯拉)；升温速度为3～30℃/分钟；升温至反应温度600～1000℃后保温10－300分钟；然后将样品随炉冷却，取出样品MgB2，即为化学掺杂的MgB2系超导材料。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。

公开(公告)号：CN100447084C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200510111919.9

申请日：2005-12-23

Applicant: 上海大学

Inventor： 朱明原 ,  李瑛 ,  李文献 ,  金红明 ,  任钟鸣 ,  李喜 ,  窦士学

IPC: C01B35/04 ,  H01B12/00

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场作用下制备化学掺杂的MgB2系超导材料的制备方法。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；再按不超过Mg和B粉料总重量的15%加入掺杂物质，在套管法的基础上运用脉冲频率为0.03～0.10赫兹，磁场强度为1～100T(特斯拉)；升温速度为3～30℃/分钟；升温至反应温度600～1000℃后保温10-300分钟；然后将样品随炉冷却，取出样品MgB2，即为化学掺杂的MgB2系超导材料。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。

公开(公告)号：CN100345224C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200510028238.6

申请日：2005-07-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 李瑛 ,  朱明原 ,  李文献 ,  金红明 ,  任钟鸣 ,  李喜 ,  窦士学

IPC: H01B12/00 ,  H01L39/24 ,  H01L39/12 ,  C01B35/04

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法，属低温超导材料制备工艺技术领域。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；在套管法的基础上运用频率为0.03～0.1赫兹，强度为1～100T(特斯拉)的脉冲磁场；Mg和B粉末的原位自生反应温度在600～1000℃范围内。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。

公开(公告)号：CN1731537A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200510028238.6

申请日：2005-07-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 李瑛 ,  朱明原 ,  李文献 ,  金红明 ,  任钟鸣 ,  李喜 ,  窦士学

IPC: H01B12/00 ,  H01L39/24 ,  H01L39/12

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 本发明涉及一种脉冲磁场作用下原位自生MgB2超导材料的制备方法，属低温超导材料制备工艺技术领域。本发明方法是采用高纯度的Mg粉和B粉做原料，按规定的化学计量比配料，即Mg∶B＝0.7∶2.0～1.3∶2.0；在套管法的基础上运用频率为0.03～0.1赫兹，强度为1～100T(特斯拉)的脉冲磁场；Mg和B粉末的原位自生反应温度在600～1000℃范围内。本发明方法可以制得晶粒细小、晶向排列一致、晶界面积大、晶界间杂质少，结构致密以及超导电性临界电流密度高的低温超导材料。