公开(公告)号：CN101708833B

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN200910198198.8

申请日：2009-11-03

Applicant: 上海大学

Inventor： 王燕 ,  徐军 ,  刘燕红 ,  庞宛文 ,  白丽华 ,  张惠芳

IPC: C01B25/30

Abstract: 本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法，它主是要是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法，属无机晶体材料制备工技术领域。本发明方法主要过程如下：将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切掉两锥顶，剩下部分切取两段，按既定角度方向磨平，磨成大小相同的两段晶体，将磨出的大小相同的对应面相对接，再把上下两顶磨平；然后再把欲形成的孪晶界面在接触面沿对角线打磨，并进行抛光；然后将两段晶体的两锥面接触，使两锥面处在一条直线上；以YZ平为底竖直粘贴到有机玻璃板上；然后把粘好的晶体放入KDP饱和溶液中，控制生长条件，使晶体在其中生长，最后生成两共轴成40°的KDP孪晶。

公开(公告)号：CN101708833A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200910198198.8

申请日：2009-11-03

Applicant: 上海大学

Inventor： 王燕 ,  徐军 ,  刘燕红 ,  庞宛文 ,  白丽华 ,  张惠芳

IPC: C01B25/30

Abstract: 本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法，它主是要是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法，属无机晶体材料制备工技术领域。本发明方法主要过程如下：将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切掉两锥顶，剩下部分切取两段，按既定角度方向磨平，磨成大小相同的两段晶体，将磨出的大小相同的对应面相对接，再把上下两顶磨平；然后再把欲形成的孪晶界面在接触面沿对角线打磨，并进行抛光；然后将两段晶体的两锥面接触，使两锥面处在一条直线上；以YZ平为底竖直粘贴到有机玻璃板上；然后把粘好的晶体放入KDP饱和溶液中，控制生长条件，使晶体在其中生长，最后生成两共轴成40°的KDP孪晶。