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公开(公告)号：CN111420658B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202010320856.2
申请日：2020-04-22
Applicant: 上海大学
IPC: C25B11/097 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供了一种Ir/Ru合金氧析出催化剂，其为含有Ir和Ru的纳米级合金，通式为IrxRuy，所述催化剂不含有载体。本发明还提供了上述催化剂的制备方法及应用，该方法是基于溶胶凝胶法结合牺牲模板方法，在催化剂制备过程中加入模板剂，煅烧后通过将模板剂除去，并可以通过调控金属加入比例和煅烧温度控制催化剂组成和合金化程度。与现有的载体型Ir/Ru合金催化剂相比，该催化剂具有较小的粒径尺寸和较大的比表面积，因此具有增强的氧析出催化性能和循环稳定性。可解决目前OER催化剂贵金属利用率较低、水电解成本高等难题，在电解水方面具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN108295870A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810086455.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 上海大学
IPC: B01J27/051 , C25B1/04 , C25B11/06
CPC classification number: Y02E60/366 , B01J27/051 , B01J27/0515 , B01J35/0033 , C25B1/04 , C25B11/04
Abstract: 本发明公开了一种硫化物-石墨烯复合材料光电催化剂的制备方法，先将氧化石墨烯粉末于水中分散，得到氧化石墨烯分散液；再向分散液中加入可溶性金属盐，静置之后，洗涤沉淀物、干燥、研磨，得到金属离子掺杂的氧化石墨烯粉末；再将其再次分散在去离子水中，搅拌后，加入硫化物前驱体盐溶液，加入硫脲并搅拌，再通过一步水热法得到反应产物，自然冷却至室温后，将反应产物离心洗涤，干燥得到固体粉末。本发明合成硫化物/石墨烯复合物制备方法简单，将金属离子作为硫化物与石墨烯表面的界面连接剂及硫化物生长的种子层，促进了硫化物片层均匀分散，抑制石墨烯片层的堆叠，大的比表面积可提供较多的活性位点，继而有效提高复合材料的催化性能。
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公开(公告)号：CN108163866A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810086193.5
申请日：2018-01-30
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E40/64 , C01B35/04 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01B12/00
Abstract: 本发明公开了一种利用类石墨相氮化碳原位包覆硼粉制备二硼化镁超导块材的方法，步骤如下：将类石墨相氮化碳前驱体和硼粉充分混合后得到混合粉体；再对混合粉体经过热处理得到颗粒状氮化碳原位包覆的硼粉；再将类石墨相氮化碳原位包覆的硼粉制备成所需形状的前驱体；再将前驱体和镁粉一起密封入铁管中得到装管复合体；再将装管复合体进行热处理，得到二硼化镁超导块体。本发明将类石墨相氮化碳前驱体和硼粉混合后热处理，实现了类石墨相氮化碳对硼粉的原位均匀包覆，避免了采用其他碳源掺杂二硼化镁时产生的不均匀现象；同时通过类石墨相氮化碳原位包覆硼颗粒的技术可以制备出晶粒连接性好、类石墨相氮化碳掺杂均匀的MgB2块体材料。
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公开(公告)号：CN102491742A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110363649.6
申请日：2011-11-17
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及脉冲磁场下锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料的制备方法与装置，属于磁性半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐，沉淀剂及共掺杂金属盐溶液为原材料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为4:1~6:1，共掺杂金属盐与锌盐的摩尔比为1:100~5:100，高压反应釜的填充度为50~80%，在水热法的基础上施加强度为1~80T（特斯拉）的脉冲磁场，在反应温度为120~400℃条件下，在反应釜中反应2~24小时，得到反应生成物，然后将产物在80~85℃下干燥10~12小时，即可得到锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，某些工艺参数条件下制备的锰铜共掺杂ZnO稀磁半导体材料具有室温铁磁性。
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公开(公告)号：CN102280623A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110187362.2
申请日：2011-07-06
Applicant: 上海大学
IPC: H01M4/1397
Abstract: 本发明涉及铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料的水热制备方法。该方法首先分别制备出磷酸锂胶体溶液与铬掺杂氧化锌前驱体溶液，然后将磷酸锂胶体溶液与铬掺杂氧化锌前驱体溶液混合后充分搅拌，最后加入二价铁溶液，形成磷酸铁锂前驱体溶液，并移入反应釜内，反应温度为100~350℃，反应时间为3~30小时，待样品自然冷却后取出，用大量的去离子水洗涤，80℃烘干后，即得到纳米级的铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料。该方法通过高温、高压在水溶液或水蒸气等流体中进行化学反应，制备出纳米级铬掺杂氧化锌复合磷酸铁锂正极材料，与固相法生成磷酸铁锂的方法相比，该方法具有操作简单、产物物相均匀、产物粒径小等诸多优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101486486B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910046529.6
申请日：2009-02-24
Applicant: 上海大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 本发明涉及强磁场下ZnO及其稀磁半导体材料的制备方法及装置，属于(磁性)半导体材料工艺技术领域。本发明方法是采用锌盐、沉淀剂及掺杂金属盐溶液为原料；按照沉淀剂与锌盐的摩尔比为1∶1～12∶1，金属盐与锌盐的摩尔比为0.1∶100～20∶100，高压反应釜的填充度为50～90％，在水热法的基础上施加磁场强度为1～70T(特斯拉)的强磁场，在反应温度为100～400℃条件下，在反应釜中反应0.5～36小时，得到反应生成物，然后将产物在50～400℃下干燥0.5～6小时，即得到ZnO或某种金属离子掺杂的稀磁半导体粉体材料。本发明方法制得的ZnO粉末材料，纯度高、掺杂均匀、微观结构可控，而某些金属离子掺杂制得的ZnO基稀磁半导体粉体材料具有室温铁磁性的。
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公开(公告)号：CN102244242A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110146225.4
申请日：2011-06-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01M4/1397
Abstract: 本发明涉及氧化锌复合磷酸铁锂正极材料的水热制备方法。该方法首先分别制备出磷酸锂胶体溶液与氧化锌前驱体溶液，然后将磷酸锂胶体溶液与氧化锌前驱体溶液充分搅拌后混合，最后加入二价铁溶液，形成磷酸铁锂前驱体溶液，并移入反应釜内，反应温度为100~350℃，反应时间为3~30小时，待样品自然冷却后取出，用大量的去离子水洗涤，80℃烘干后，即得到ZnO颗粒复合的磷酸铁锂粉末。该方法通过高温、高压在水溶液或水蒸气等流体中进行化学反应，制备出纳米级磷酸铁锂正极材料，与固相法生成磷酸铁锂的方法相比，该方法具有操作简单、无需惰性气氛、物相均匀、粒径小等优点，生成的氧化锌复合磷酸铁锂正极材料具有良好的电化学性能。
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公开(公告)号：CN111420658A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010320856.2
申请日：2020-04-22
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种Ir/Ru合金氧析出催化剂，其为含有Ir和Ru的纳米级合金，通式为IrxRuy，所述催化剂不含有载体。本发明还提供了上述催化剂的制备方法及应用，该方法是基于溶胶凝胶法结合牺牲模板方法，在催化剂制备过程中加入模板剂，煅烧后通过将模板剂除去，并可以通过调控金属加入比例和煅烧温度控制催化剂组成和合金化程度。与现有的载体型Ir/Ru合金催化剂相比，该催化剂具有较小的粒径尺寸和较大的比表面积，因此具有增强的氧析出催化性能和循环稳定性。可解决目前OER催化剂贵金属利用率较低、水电解成本高等难题，在电解水方面具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103956489A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410162008.8
申请日：2014-04-22
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/5825 , H01M4/625 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种基于液相混料的两次加碳工艺制备磷酸铁锂电极材料的方法。该方法首先将锂源、铁源、磷源和碳源材料混合制成液态的单一相混合物，获得固体产物后与溶有可溶性有机化合物的易挥发溶剂混合，再对所得混合物进行机械法研磨，使有机物与固体颗粒充分混合并减小固体物的粒径。通过两次加碳的工艺，处于不同空间位置的碳源材料分别并同时起到了还原三价铁和在磷酸铁锂表面包覆碳的作用，实现了仅需一次高温加热过程就可制备具有完整碳包覆结构磷酸铁锂材料的目的，碳热反应的完全性和材料的电导性都较好。该方法具有成本低，耗能少，周期短，批次稳定性高等优点。
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公开(公告)号：CN102502851A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110359608.X
申请日：2011-11-15
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种在金属钛基片上合成二氧化锰薄膜材料的方法。其特征在于以金属钛作为生长基片，直接在其上水热生长二氧化锰薄膜；通过改变合成条件，可以得到晶体结构和组织结构不同的产物，晶型由δ型向α型转变，组织结构由纳米片向纳米棒转变；所制得的二氧化锰薄膜材料具有良好的电化学性能。本发明所述的二氧化锰薄膜是以高锰酸钾、去离子水和pH值调节剂（如盐酸、硫酸、硝酸等）为原料，采用水热法合成的。该法工艺简单、成本低、易于工业化；同时所得产物的电化学性能良好，具有作为超级电容器电极材料的应用潜力。
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