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公开(公告)号:CN113578362B
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN202110836193.4
申请日:2021-07-23
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: B01J27/24 , B01J27/22 , B01J31/06 , B01J37/00 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明提供一种炔基修饰的半导体光催化剂材料的制备方法及应用,将半导体材料与金属炔化物置于球磨罐中,并向球磨罐中加入不与半导体材料和金属炔化物反应的溶剂,使溶剂没过钢珠后,在氮气或惰性气体保护下进行球磨,经后处理得到炔基修饰的半导体材料;制得的炔基修饰的半导体材料用于有机染料或抗生素降解。本发明采用球磨的方法制备炔基修饰的半导体光催化剂材料,操作简单,避免了现有技术有毒原料的使用以及副产物的产生,制得的炔基修饰的半导体光催化剂材料对于有机染料和抗生素的降解性能优于纯的半导体材料。
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公开(公告)号:CN113578362A
公开(公告)日:2021-11-02
申请号:CN202110836193.4
申请日:2021-07-23
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: B01J27/24 , B01J27/22 , B01J31/06 , B01J37/00 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明提供一种炔基修饰的半导体光催化剂材料的制备方法及应用,将半导体材料与金属炔化物置于球磨罐中,并向球磨罐中加入不与半导体材料和金属炔化物反应的溶剂,使溶剂没过钢珠后,在氮气或惰性气体保护下进行球磨,经后处理得到炔基修饰的半导体材料;制得的炔基修饰的半导体材料用于有机染料或抗生素降解。本发明采用球磨的方法制备炔基修饰的半导体光催化剂材料,操作简单,避免了现有技术有毒原料的使用以及副产物的产生,制得的炔基修饰的半导体光催化剂材料对于有机染料和抗生素的降解性能优于纯的半导体材料。
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