一种毛细管基半导体SERS活性基底及其制备工艺方法

    公开(公告)号:CN119985438A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510091880.6

    申请日:2025-01-21

    Abstract: 本发明涉及一种毛细管基半导体SERS活性基底及其制备工艺方法,属于环境科学检测技术领域。一种毛细管基半导体SERS活性基底为基于半导体ZnO@ZIF‑8的毛细管基半导体SERS活性基底。将ZnO@ZIF‑8纳米粒子分散于4‑MBA的乙醇溶液中,搅拌,将所得ZnO@ZIF‑8/4‑MBA样品用冲洗,除去ZnO@ZIF‑8纳米粒子表面游离的4‑MBA分子;纯化后的ZnO@ZIF‑8/4‑MBA再次分散于乙醇溶液中;取步骤1得到的溶液注入毛细管内,干燥,使ZnO@ZIF‑8/4‑MBA附着于毛细管内部。操作方法简单且高效。

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