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公开(公告)号：CN115981066A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211099622.5
申请日：2022-09-09
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明属于光学非线性材料领域，具体涉及一种增强MXenes饱和吸收信号的方法。所述方法至少包含以下步骤：步骤一在MXenes层状材料上原位生长MoS2形成异质结；步骤二测量MXenes/MoS2异质结的饱和吸收信号，即在不同激发光波长下测量MXenes/MoS2异质结的饱和吸收信号；根据饱和吸收信号的强弱，选出最适合的激发光波长。当MXenes为碳化铌时，在激发光波长为1300nm和1550nm时所述MXenes/MoS2异质结的饱和吸收信号大于所述二维层状MXenes材料的饱和吸收信号，且MXenes/MoS2异质结饱和吸收信号相比于MXenes材料增强了2倍左右。
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公开(公告)号：CN113820789A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010556916.0
申请日：2020-06-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种全光二极管及其制备方法和应用。所述全光二极管中含有二维层状材料Mxenes层、纳米氧化锌层和衬底；所述纳米氧化锌层附着在衬底上，所述二维层状材料Mxenes层附着在纳米氧化锌层上。本发明所设计的全光二极管，光从该二极管的正向和反向入射时其透过率改变了32％，实现了在光在传播方向上的非互易性传播即对输入光达到正向导通，反向截止的效果。本发明通过涂覆的方法实现了全光二极管的制备。本发明所设计和制备的全光二极管具有高单向透射率、光损伤阈值高、对工作环境要求低、非常好的光的非互易性传播特性、工作波段可调等诸多优点。同时所得全光二极管稳定性好，在光子芯片和全光网络通信中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113820789B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202010556916.0
申请日：2020-06-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种全光二极管及其制备方法和应用。所述全光二极管中含有二维层状材料Mxenes层、纳米氧化锌层和衬底；所述纳米氧化锌层附着在衬底上，所述二维层状材料Mxenes层附着在纳米氧化锌层上。本发明所设计的全光二极管，光从该二极管的正向和反向入射时其透过率改变了32％，实现了在光在传播方向上的非互易性传播即对输入光达到正向导通，反向截止的效果。本发明通过涂覆的方法实现了全光二极管的制备。本发明所设计和制备的全光二极管具有高单向透射率、光损伤阈值高、对工作环境要求低、非常好的光的非互易性传播特性、工作波段可调等诸多优点。同时所得全光二极管稳定性好，在光子芯片和全光网络通信中具有广泛的应用前景。
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