一种由废旧铅膏制备铅卤化物半导体薄膜的方法

    公开(公告)号:CN117181567A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311159418.2

    申请日:2023-09-08

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种由废旧铅膏制备铅卤化物半导体薄膜的方法。该方法包括步骤:A:对基底进行彻底清洗,随后对基底进行干燥处理;B:从废旧铅酸电池中收集部分铅膏,首先使用脱硫剂对铅膏进行硫酸铅的脱硫反应,随后加入还原剂使二氧化铅转化为氧化铅,再采用有机酸浸出剂得到含二价铅离子的酸溶液;C:将含二价铅离子的酸溶液和一定量的含卤酸或含卤盐一同沉积在处理好的基底上,之后将基底放上热台进行高温退火,退火后得到铅卤化物半导体薄膜,将其放入干燥箱中干燥。该方法不仅步骤简化、可直接得到铅卤化物薄膜,降低了铅资源的过度浪费,而且制得的铅卤化物薄膜可促进光电器件的大规模应用。

Patent Agency Ranking