一种声学包覆层、降噪结构及受电弓

    公开(公告)号:CN119763524A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202411972563.7

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 本发明涉及受电弓降噪的技术领域,公开了一种声学包覆层、降噪结构及受电弓。声学包覆层用于包覆在受电弓的结构表面上,包括凹凸层和基体层;凹凸层的外侧具有若干扰流单元;基体层由多孔材料制成,设置在凹凸层的内侧。降噪结构包括声学包覆层和安装件,安装件用于将声学包覆层固定在受电弓的结构表面上。受电弓的结构表面设置有降噪结构。本发明通过上述方案,可以解决相关技术中的受电弓降噪技术存在的成本高、对不同结构适应性较低且部分方案实际作用不一定明显的技术问题。

Patent Agency Ranking