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公开(公告)号：CN102884348A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201180021294.0
申请日：2011-03-08
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: F16K1/302 , F16J3/02 , F16K7/126 , F16K7/14 , F16K7/16 , F16K25/00 , F17C2205/0329 , F17C2205/0385 , F17C2205/0394 , F17C2223/0123 , F17C2260/036 , F17C2270/0518
Abstract: 本发明提供一种卤素气体或卤素化合物气体的填充容器用阀。根据本发明，直接接触型隔膜阀包括：阀主体，其设有入口通路和出口通路；阀室，其用于与阀主体的入口通路和出口通路相连通；阀座部，其设于入口通路的内端开口部；膜片，其设于阀座部的上方，用于保持阀室内的气密状态，并且用于开闭入口通路及出口通路；阀杆，其用于使膜片的中央部向下方下降；驱动部，其用于使阀杆沿上下方向移动，该直接接触型隔膜阀的特征在于，在阀座部与膜片相接触的接触面中，阀座部的接触面的表面粗糙度Ra的值为0.1μm～10.0μm，阀座部的接触面的曲率半径R为100mm～1000mm，膜片与阀座部相接触的接触面积Sb同膜片的气体接触部表面积Sa的面积比率Sb/Sa为0.2％～10％。本发明的阀具有充分的气密性，可以较佳地用作卤素气体或卤素化合物气体用的填充容器用阀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101896423B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200880120633.9
申请日：2008-12-19
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C01B21/083 , C01B7/24
CPC classification number: C01B7/24 , C01B21/0832 , C01B21/0835
Abstract: 一种氟化气体化合物制造装置，利用下述区域形成循环系统，所述区域为：使含有前述原料液体的混合液体与原料气体反应的反应区域；只有前述混合液体流动的流动区域；使反应后的前述混合液体从前述反应区域的上部向前述流动区域的上部流动的上部移动区域；使前述混合液体从前述流动区域的下部向前述反应区域的下部移动的下部移动区域，通过(A)将前述原料气体导入前述反应区域的下部并(B)将作为前述反应区域反应生成物的第一氟化气体化合物及使该第一氟化气体化合物进一步氟化获得的第二氟化气体化合物中选择出来的至少一种氟化气体化合物导入，使前述混合液体循环。
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公开(公告)号：CN101896423A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120633.9
申请日：2008-12-19
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: C01B21/083 , C01B7/24
CPC classification number: C01B7/24 , C01B21/0832 , C01B21/0835
Abstract: 一种氟化气体化合物制造装置，利用下述区域形成循环系统，所述区域为：使含有前述原料液体的混合液体与原料气体反应的反应区域；只有前述混合液体流动的流动区域；使反应后的前述混合液体从前述反应区域的上部向前述流动区域的上部流动的上部移动区域；使前述混合液体从前述流动区域的下部向前述反应区域的下部移动的下部移动区域，通过(A)将前述原料气体导入前述反应区域的下部并(B)将作为前述反应区域反应生成物的第一氟化气体化合物及使该第一氟化气体化合物进一步氟化获得的第二氟化气体化合物中选择出来的至少一种氟化气体化合物导入，使前述混合液体循环。
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公开(公告)号：CN102884348B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201180021294.0
申请日：2011-03-08
CPC classification number: F16K1/302 , F16J3/02 , F16K7/126 , F16K7/14 , F16K7/16 , F16K25/00 , F17C2205/0329 , F17C2205/0385 , F17C2205/0394 , F17C2223/0123 , F17C2260/036 , F17C2270/0518
Abstract: 本发明提供一种卤素气体或卤素化合物气体的填充容器用阀。根据本发明，直接接触型隔膜阀包括：阀主体，其设有入口通路和出口通路；阀室，其用于与阀主体的入口通路和出口通路相连通；阀座部，其设于入口通路的内端开口部；膜片，其设于阀座部的上方，用于保持阀室内的气密状态，并且用于开闭入口通路及出口通路；阀杆，其用于使膜片的中央部向下方下降；驱动部，其用于使阀杆沿上下方向移动，该直接接触型隔膜阀的特征在于，在阀座部与膜片相接触的接触面中，阀座部的接触面的表面粗糙度Ra的值为0.1μm～10.0μm，阀座部的接触面的曲率半径R为100mm～1000mm，膜片与阀座部相接触的接触面积Sb同膜片的气体接触部表面积Sa的面积比率Sb/Sa为0.2％～10％。本发明的阀具有充分的气密性，可以较佳地用作卤素气体或卤素化合物气体用的填充容器用阀。
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公开(公告)号：CN102257181B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201080003667.7
申请日：2010-01-15
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , B01D53/68 , B01D53/77 , B01D2251/306 , B01D2251/604 , B01D2257/2047 , B01D2258/0216 , C25B1/02 , C25B1/245 , F23G7/065 , Y02E20/12 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供一种具有氟气发生装置的半导体制造设备，其包括氟气发生装置、以及使含有氟系气体的废气燃烧的除害装置。上述氟气发生装置通过在含有氟化氢的熔融盐的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体。上述半导体制造设备还包括将从氟气发生装置产生的副生成气体向上述除害装置引导的导出路径，上述除害装置具有将送至除害装置的副生成气体用作燃烧剂的机构。
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公开(公告)号：CN102257181A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201080003667.7
申请日：2010-01-15
Applicant: 中央硝子株式会社
CPC classification number: H01M8/0656 , B01D53/68 , B01D53/77 , B01D2251/306 , B01D2251/604 , B01D2257/2047 , B01D2258/0216 , C25B1/02 , C25B1/245 , F23G7/065 , Y02E20/12 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供一种具有氟气发生装置的半导体制造设备，其包括氟气发生装置、以及使含有氟系气体的废气燃烧的除害装置。上述氟气发生装置通过在含有氟化氢的熔融盐的电解浴中电解氟化氢，在阳极侧产生主成分为氟气的主生成气体，并且在阴极侧产生主成分为氢气的副生成气体。上述半导体制造设备还包括将从氟气发生装置产生的副生成气体向上述除害装置引导的导出路径，上述除害装置具有将送至除害装置的副生成气体用作燃烧剂的机构。
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