供电装置及其驱动方法

    公开(公告)号:CN101803021A

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN200880106292.X

    申请日:2008-08-28

    CPC classification number: H01L29/7397 H01L29/0834 H03K17/08128 H03K17/0828

    Abstract: 在作为复合电路的反向导通半导体装置(10)中,有时在发射极(32)上会被施加比集电极(42)的正电压更高的正电压。此时,在形成有反向导通半导体装置(10)的回流二极管(24)的区域中,体接触区(34)作为阳极工作,而漂移接触区(40)作为阴极工作,从而自阳极向阴极流有电流(106)。如果此时向沟槽栅电极(26)施加比集电极(42)更低电位的电压,则在阴极内将产生p型载流子(46),从而使回流二极管内的载流子量增加。由此,能够降低回流二极管(24)的正向电压降,从而使电力的恒定损耗减少。如此,对于利用了由开关元件与回流二极管反并联而形成的复合电路的供电装置,能够减少供电装置的电力损耗。

    供电装置及其驱动方法

    公开(公告)号:CN101803021B

    公开(公告)日:2012-02-01

    申请号:CN200880106292.X

    申请日:2008-08-28

    CPC classification number: H01L29/7397 H01L29/0834 H03K17/08128 H03K17/0828

    Abstract: 在作为复合电路的反向导通半导体装置(10)中,有时在发射极(32)上会被施加比集电极(42)的正电压更高的正电压。此时,在形成有反向导通半导体装置(10)的回流二极管(24)的区域中,体接触区(34)作为阳极工作,而漂移接触区(40)作为阴极工作,从而自阳极向阴极流有电流(106)。如果此时向沟槽栅电极(26)施加比集电极(42)更低电位的电压,则在阴极内将产生p型载流子(46),从而使回流二极管内的载流子量增加。由此,能够降低回流二极管(24)的正向电压降,从而使电力的恒定损耗减少。如此,对于利用了由开关元件与回流二极管反并联而形成的复合电路的供电装置,能够减少供电装置的电力损耗。

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