公开(公告)号：CN102473705B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080034016.4

申请日：2010-06-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 齐藤顺 ,  青井佐智子 ,  杉山隆英

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在半导体装置的半导体层中形成有二极管区和IGBT区。在半导体层中形成有寿命控制区。寿命控制区具有在俯视观察时位于二极管区中的第一寿命控制区、和位于IGBT区的一部分中的第二寿命控制区。该第二寿命控制区从二极管区和IGBT区的边界起朝向IGBT区内延伸。第二寿命控制区的前端在俯视观察时位于IGBT区中的体区的形成范围内。

公开(公告)号：CN101803021B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200880106292.X

申请日：2008-08-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  齐藤顺 ,  吉亨阿尼尔约瑟夫·阿马拉特安格 ,  弗洛林·乌德雷亚

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/0828

Abstract: 在作为复合电路的反向导通半导体装置(10)中，有时在发射极(32)上会被施加比集电极(42)的正电压更高的正电压。此时，在形成有反向导通半导体装置(10)的回流二极管(24)的区域中，体接触区(34)作为阳极工作，而漂移接触区(40)作为阴极工作，从而自阳极向阴极流有电流(106)。如果此时向沟槽栅电极(26)施加比集电极(42)更低电位的电压，则在阴极内将产生p型载流子(46)，从而使回流二极管内的载流子量增加。由此，能够降低回流二极管(24)的正向电压降，从而使电力的恒定损耗减少。如此，对于利用了由开关元件与回流二极管反并联而形成的复合电路的供电装置，能够减少供电装置的电力损耗。

公开(公告)号：CN102197487A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142276.0

申请日：2009-10-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西胁刚 ,  齐藤顺

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明提供一种即使产生杂质浓度的制造误差，通态电压也不易产生误差的绝缘栅双极性晶体管及绝缘栅双极性晶体管的制造方法。一种在第2导电型的体区内形成有第1导电型的浮置区的垂直型绝缘栅双极性晶体管，其中，在浮置区与其上侧的体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布，在浮置区与其下侧的体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在浮置区与其上侧的体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在浮置区与其下侧的体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布。

公开(公告)号：CN101803021A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880106292.X

申请日：2008-08-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  齐藤顺 ,  吉亨阿尼尔约瑟夫·阿马拉特安格 ,  弗洛林·乌德雷亚

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H03K17/08128 ,  H03K17/0828

Abstract: 在作为复合电路的反向导通半导体装置(10)中，有时在发射极(32)上会被施加比集电极(42)的正电压更高的正电压。此时，在形成有反向导通半导体装置(10)的回流二极管(24)的区域中，体接触区(34)作为阳极工作，而漂移接触区(40)作为阴极工作，从而自阳极向阴极流有电流(106)。如果此时向沟槽栅电极(26)施加比集电极(42)更低电位的电压，则在阴极内将产生p型载流子(46)，从而使回流二极管内的载流子量增加。由此，能够降低回流二极管(24)的正向电压降，从而使电力的恒定损耗减少。如此，对于利用了由开关元件与回流二极管反并联而形成的复合电路的供电装置，能够减少供电装置的电力损耗。

公开(公告)号：CN102197487B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200980142276.0

申请日：2009-10-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 西胁刚 ,  齐藤顺

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明提供一种即使产生杂质浓度的制造误差，通态电压也不易产生误差的绝缘栅双极性晶体管及绝缘栅双极性晶体管的制造方法。一种在第2导电型的体区内形成有第1导电型的浮置区的垂直型绝缘栅双极性晶体管，其中，在浮置区与其上侧的体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布，在浮置区与其下侧的体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在浮置区与其上侧的体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在浮置区与其下侧的体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布。

公开(公告)号：CN102473705A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080034016.4

申请日：2010-06-28

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 齐藤顺 ,  青井佐智子 ,  杉山隆英

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在半导体装置的半导体层中形成有二极管区和IGBT区。在半导体层中形成有寿命控制区。寿命控制区具有在俯视观察时位于二极管区中的第一寿命控制区、和位于IGBT区的一部分中的第二寿命控制区。该第二寿命控制区从二极管区和IGBT区的边界起朝向IGBT区内延伸。第二寿命控制区的前端在俯视观察时位于IGBT区中的体区的形成范围内。