公开(公告)号：CN101213877A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680023786.2

申请日：2006-06-16

Applicant: 伊斯曼柯达公司

Inventor： T·L·小罗伊斯特

IPC: H05B33/14 ,  C09K11/06

CPC classification number: H01L51/0079 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1044 ,  C09K2211/186 ,  C09K2211/188 ,  H01L21/3127 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/006 ,  H01L51/008 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0082 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5048 ,  H05B33/14

Abstract: 一种OLED器件，其包括阴极、阳极、发光层、以及在阴极和发光层之间的非发光层，所述非发光层包含具有通式(1)的“n”个二齿配体的金属配合物，其中：M表示Ga、Al、Be或Mg；对于Ga或Al来说，n是3，对于Be或Mg来说，n是2；和各Za和各Zb被独立地选择，并且每一个表示完成不饱合环所需的原子；Za和Zb彼此直接键合，前提是Za和Zb可进一步被连接在一起而形成稠环系统；前提是发光层基本上没有所述的存在于非发光层中的金属配合物。这种器件显示出改善的发光效率。