公开(公告)号：CN110709198B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201980002649.8

申请日：2019-03-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 小池沙知子 ,  上田悠贵 ,  津田圭一

IPC: B23B27/14 ,  B23B51/00 ,  B23C5/16 ,  C23C14/06

Abstract: 一种表面被覆切削工具，包括基材以及被覆所述基材的覆膜。所述覆膜包括含有以WC1‑x(x为0.54至0.58)表示的化合物的WC1‑x层。以WC1‑x表示的化合物包含六方晶体结构。

公开(公告)号：CN110691664B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201980002655.3

申请日：2019-03-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 小池沙知子 ,  上田悠贵 ,  津田圭一

IPC: B23B27/14 ,  B23B51/00 ,  B23C5/16 ,  C23C14/06

Abstract: 一种表面被覆切削工具，包括基材以及被覆所述基材的覆膜。所述覆膜包括含有以WC1‑x(x为0.54至0.58)表示的化合物的WC1‑x层。以WC1‑x表示的化合物包含六方晶体结构，并且WC1‑x层中(110)面的X射线衍射强度与(011)面的X射线衍射强度之比I(110)/I(011)为0.1以上0.4以下。

公开(公告)号：CN110691663A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201980002653.4

申请日：2019-03-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 小池沙知子 ,  上田悠贵 ,  津田圭一

IPC: B23B27/14 ,  B23B51/00 ,  B23C5/16 ,  C23C14/06

Abstract: 一种表面被覆切削工具，包括基材以及被覆所述基材的覆膜。所述覆膜包括含有以WC1-x(x为0.54至0.58)表示的化合物的WC1-x层。以WC1-x表示的化合物包含六方晶体结构，并且在通过使用X射线光电子能谱分析测定所述WC1-x层时获得的钨元素的4f轨道的谱图中，在31.2eV至31.4eV的范围内具有峰。

公开(公告)号：CN110691663B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201980002653.4

申请日：2019-03-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 小池沙知子 ,  上田悠贵 ,  津田圭一

IPC: B23B27/14 ,  B23B51/00 ,  B23C5/16 ,  C23C14/06

Abstract: 一种表面被覆切削工具，包括基材以及被覆所述基材的覆膜。所述覆膜包括含有以WC1‑x(x为0.54至0.58)表示的化合物的WC1‑x层。以WC1‑x表示的化合物包含六方晶体结构，并且在通过使用X射线光电子能谱分析测定所述WC1‑x层时获得的钨元素的4f轨道的谱图中，在31.2eV至31.4eV的范围内具有峰。

公开(公告)号：CN110709198A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201980002649.8

申请日：2019-03-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 小池沙知子 ,  上田悠贵 ,  津田圭一

IPC: B23B27/14 ,  B23B51/00 ,  B23C5/16 ,  C23C14/06

Abstract: 一种表面被覆切削工具，包括基材以及被覆所述基材的覆膜。所述覆膜包括含有以WC1-x(x为0.54至0.58)表示的化合物的WC1-x层。以WC1-x表示的化合物包含六方晶体结构。

公开(公告)号：CN110691664A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201980002655.3

申请日：2019-03-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 小池沙知子 ,  上田悠贵 ,  津田圭一

IPC: B23B27/14 ,  B23B51/00 ,  B23C5/16 ,  C23C14/06

Abstract: 一种表面被覆切削工具，包括基材以及被覆所述基材的覆膜。所述覆膜包括含有以WC1-x(x为0.54至0.58)表示的化合物的WC1-x层。以WC1-x表示的化合物包含六方晶体结构，并且WC1-x层中(110)面的X射线衍射强度与(011)面的X射线衍射强度之比I(110)/I(011)为0.1以上0.4以下。