切削工具
    1.
    发明公开
    切削工具 审中-实审

    公开(公告)号:CN119384329A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202380042863.2

    申请日:2023-05-17

    Abstract: 一种切削工具,具备基材和配置于所述基材上的覆膜,其中,所述覆膜包含第一层,所述第一层由第一单元层和第二单元层交替地层叠而成的交替层构成,所述第一单元层具有六方晶型的晶体结构,所述第一单元层由W(C1‑aNa)x构成,所述a为0.3以上且0.8以下,所述x为0.8以上且1.2以下,所述第二单元层由AlcV1‑cN构成,所述c为0.40以上且0.80以下。

    表面被覆切削工具
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108472739A

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201780005979.3

    申请日:2017-11-22

    Abstract: 一种表面被覆切削工具,包括包含硬质合金的基材,以及覆膜。所述覆膜包括与所述基材接触的中间层和形成在所述中间层上的上层。所述上层为包括上部基底层的单层,该上部基底层是与所述中间层接触的层,或者所述上层为包括所述上部基底层在内的两层以上的层构成的多层。所述基材的晶系为六方晶系。所述中间层和所述上部基底层具有NaCl晶体结构。所述中间层的厚度为3nm以上10nm以下。所述基材与所述中间层之间的界面区域中的晶面间距的失配度为所述基材与所述上部基底层之间的晶面间距的失配度的理论值的65%以下。所述中间层和所述上部基底层之间的界面区域中的晶面间距的失配度为所述基材和所述上部基底层之间的晶面间距的失配度的理论值的65%以下。

    切削工具
    6.
    发明公开
    切削工具 审中-实审

    公开(公告)号:CN119343195A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202280096969.6

    申请日:2022-09-22

    Abstract: 切削工具具备基材和配置于所述基材上的覆膜,其中,所述覆膜包含第一层,所述第一层由第一单元层和第二单元层交替地层叠而成的交替层构成,所述第一单元层由Ti1‑a‑bAlaCebN构成,所述a为0.350以上且0.650以下,所述b为0.001以上且0.100以下,所述第二单元层由AlcV1‑cN构成,所述c为0.40以上且0.75以下,所述a以及所述c满足c>a的关系。

    切削工具
    7.
    发明公开
    切削工具 审中-实审

    公开(公告)号:CN119325413A

    公开(公告)日:2025-01-17

    申请号:CN202380043284.X

    申请日:2023-05-17

    Abstract: 一种切削工具,具备基材和配置于所述基材上的覆膜,其中,所述覆膜包含第一层,所述第一层由第一单元层和第二单元层交替地层叠而成的交替层构成,所述第一单元层具有六方晶型的晶体结构,所述第一单元层由W(C1‑aNa)x构成,所述a为0.3以上且0.8以下,所述x为0.8以上且1.2以下,所述第二单元层由TicSi1‑cN构成,所述c为0.80以上且0.99以下。

    切削工具
    10.
    发明公开
    切削工具 审中-公开

    公开(公告)号:CN120018924A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202380072334.7

    申请日:2023-05-17

    Abstract: 一种切削工具,所述切削工具具备基材和配置于所述基材上的覆膜,其中,所述覆膜包含第一层,所述第一层由第一单元层和第二单元层交替地层叠而成的交替层构成,所述第一单元层具有六方晶型的晶体结构,所述第一单元层由W(C1‑aNa)x构成,所述a为0.3以上且0.8以下,所述x为0.8以上且1.2以下,所述第二单元层由AlcTi1‑cN构成,所述c为0.30以上且0.75以下。

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