-
公开(公告)号:CN1031442A
公开(公告)日:1989-03-01
申请号:CN88101528
申请日:1988-02-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01B12/02
CPC classification number: H01L39/248 , C04B35/4504 , C04B35/4521 , Y10T29/49014
Abstract: 本发明是关于超导长形体的制造方法,其特征是:将具有超导特性的复合氧化物所构成的陶瓷原料粉末的状态下,实施使上述金属管截面积缩小的塑性变形加工,然后,通过对已塑性变形后的上述金属管进行加热处理,使填充在上述金属管中的陶瓷原料粉末烧结。
-
公开(公告)号:CN88102025A
公开(公告)日:1988-10-26
申请号:CN88102025
申请日:1988-03-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明是关于一种超导薄膜的制作方法。其特征是将含有从钇(Y)、镧(La)、钆(Gd)、钬(Ho)、铒(Er)、镱(Yb)组成的一组元素中选择的一种元素M、钡和铜氧化物的混合物或者复合氧化物作为靶进行物理蒸镀,形成钙钛矿型或准钙钛矿型的氧化物薄膜,上述靶可由预烧结材料制成,物理蒸镀可用高频溅射技术进行。对形成的薄膜,可以进一步在250—1700℃,最好在250~1200℃的温度范围内进行热处理。
-
公开(公告)号:CN1035087C
公开(公告)日:1997-06-04
申请号:CN88103912
申请日:1988-05-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L39/249 , H01L39/2435 , H01L39/2464
Abstract: 一种制作超导电路图形的方法,其特征在于下列步骤:在基片上淀积开始不显示超导性的复合氧化物材料的薄膜层;向该层所需部位照射聚焦离子束使被照射的部位转变为超导体;在氧离子注入前、中、后对复合氧化物材料进行热处理。所述离子束选自氧离子束、惰性气体离子束以及它们的混合体。所述复合氧化物的结构式为(α1-xβx)CuyOz或D4(E1-q,Cαq)mCunOp+r,其中,α,β分别为IIα或IIIα族元素,而D为Bi或Tl,D为Bi时E为Sr,D为Tl时E为Ba。
-
公开(公告)号:CN1033991C
公开(公告)日:1997-02-05
申请号:CN88101528
申请日:1988-02-05
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 大卫·萨莫罗维奇·萨莫罗维奇 , 弗拉基米尔·卡波维奇·卡拉汉安 , 维彻斯拉夫·伊欧西夫维奇·库内索夫 , 弗拉基米尔·勃里索维奇·柯烈利安斯基 , 奥立格·瓦伦丁罗维奇·库内索夫 , 尼古拉·格里高里维奇·卡拉洽班 , 乔治·伊格罗维奇·施莫拉托夫 , 埃符金尼·亚历山德罗夫维奇·克卢金 , 西蒙·沃弗维奇·利夫施茨
IPC: H01B12/02
CPC classification number: H01L39/248 , C04B35/4504 , C04B35/4521 , Y10T29/49014
Abstract: 本发明是关于超导长形体的制造方法,其特征是:将具有超导特性的复合氧化物所构成的陶瓷原料粉末的状态下,实施使上述金属管截面积缩小的塑性变形加工,然后,通过对已塑性变形后的上述金属管进行加热处理,使填充在上述金属管中的陶瓷原料粉末烧结。
-
公开(公告)号:CN1024966C
公开(公告)日:1994-06-08
申请号:CN88102025
申请日:1988-03-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明是关于一种超导薄膜的制作方法。其特征是将含有从钇(Y)、镧(La)、钆(Gd)、钬(Ho)、铒(Er)、镱(Yb)组成的一组元素中选择的一种元素M、钡和铜氧化物的混合物或者复合氧化物作为靶进行物理汽相淀积,形成钙钛矿型或类钙钛矿型的氧化物薄膜。上述靶可由预烧结材料制成,物理汽相淀积可用高频溅射技术进行。对形成的薄膜,可以进一步在250-1700℃,最好在250-1200℃的温度范围内进行热处理。
-
-
-
-