公开(公告)号：CN101565185A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910132968.9

申请日：2009-04-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 水野亨彦 ,  黑谷伸一 ,  祢津茂义 ,  小黑晓二

IPC: C01B33/035 ,  C30B29/06

CPC classification number: C01B33/03 ,  C01B33/035

Abstract: 本发明提供一种多晶硅棒的制造方法，其中，在制造硅棒时，使用从通过CZ法或FZ法培育而成的单晶硅锭切出的硅部件(单晶硅棒)作为芯线。具体而言，从切去单晶硅锭(10)的肩部(10s)和尾部(10t)而得到的主体部(10b)切出平板状硅(11)，进而，切割成长条形而得到硅棒(芯线)(12)。在结晶生长轴方位为 的情况下，晶体习性线(h1～h4)为四根，硅棒(芯线)(12)按照其面与晶体习性线形成特定范围的偏角θ的方式切出。根据本发明，能够提供以现有方法无法得到的低杂质污染(高纯度)的多晶硅棒及单晶化效率高的FZ用多晶硅棒。

公开(公告)号：CN101565185B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200910132968.9

申请日：2009-04-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 水野亨彦 ,  黑谷伸一 ,  祢津茂义 ,  小黑晓二

IPC: C01B33/035 ,  C30B29/06

CPC classification number: C01B33/03 ,  C01B33/035

Abstract: 本发明提供一种多晶硅棒的制造方法，其中，在制造硅棒时，使用从通过CZ法或FZ法培育而成的单晶硅锭切出的硅部件(单晶硅棒)作为芯线。具体而言，从切去单晶硅锭(10)的肩部(10s)和尾部(10t)而得到的主体部(10b)切出平板状硅(11)，进而，切割成长条形而得到硅棒(芯线)(12)。在结晶生长轴方位为 的情况下，晶体习性线(h1～h4)为四根，硅棒(芯线)(12)按照其面与晶体习性线形成特定范围的偏角θ的方式切出。根据本发明，能够提供以现有方法无法得到的低杂质污染(高纯度)的多晶硅棒及单晶化效率高的FZ用多晶硅棒。