公开(公告)号：CN107589633B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201710546915.6

申请日：2017-07-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡边武 ,  菊地里枝 ,  郡大佑 ,  美谷岛祐介 ,  荻原勤

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供可通过高能量射线照射而固化，在半导体装置制造工序中的利用多层抗蚀剂法的微细图形工艺中可形成具有优异嵌入/平坦化特性、适当耐蚀刻性及光学特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料、使用该材料的图案形成方法、抗蚀剂下层膜形成方法、及适用于该抗蚀剂下层膜材料的新型化合物。该抗蚀剂下层膜材料用于多层抗蚀剂法，其含有(A)通式(1)所示的化合物中的一种或二种以上及(B)有机溶剂，[化学式1]式中W为碳原子数2～50的n价有机基团；X为通式(1X)所示的1价有机基团；n为1～10的整数，[化学式2]式中虚线表示结合键；R01为丙烯酰基或甲基丙烯酰基；Y为单键或羰基；Z为碳原子数1～30的1价有机基团。

公开(公告)号：CN107589633A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710546915.6

申请日：2017-07-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡边武 ,  菊地里枝 ,  郡大佑 ,  美谷岛祐介 ,  荻原勤

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供可通过高能量射线照射而固化，在半导体装置制造工序中的利用多层抗蚀剂法的微细图形工艺中可形成具有优异嵌入/平坦化特性、适当耐蚀刻性及光学特性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜材料、使用该材料的图案形成方法、抗蚀剂下层膜形成方法、及适用于该抗蚀剂下层膜材料的新型化合物。该抗蚀剂下层膜材料用于多层抗蚀剂法，其含有(A)通式(1)所示的化合物中的一种或二种以上及(B)有机溶剂，[化学式1] 式中W为碳原子数2～50的n价有机基团；X为通式(1X)所示的1价有机基团；n为1～10的整数，[化学式2]式中虚线表示结合键；R01为丙烯酰基或甲基丙烯酰基；Y为单键或羰基；Z为碳原子数1～30的1价有机基团。