公开(公告)号：CN107534056B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201680022716.9

申请日：2016-04-18

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 中条妃奈 ,  石崎守

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供能够进行半导体层或保护层的良好布图的薄膜晶体管阵列形成基板及其制造方法、使用了薄膜晶体管阵列形成基板的图像显示装置。薄膜晶体管阵列形成基板为在基板上按顺序层叠栅电极、栅极绝缘体层、源电极、漏电极及与漏电极相连接的像素电极、半导体层、以及保护层，兼为源电极的源极配线在其延伸方向上周期性地具备切口部，源极配线的切口部形成在重叠于栅电极的位置上，具有切口部的部位成为细源极配线、没有切口部的部位成为宽度大于细源极配线的粗源极配线，至少粗源极配线具备开口部，半导体层是源极配线延伸的方向为长度方向的条纹，且跨越源电极和漏电极而形成，保护层将半导体层全部覆盖。

公开(公告)号：CN107534056A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680022716.9

申请日：2016-04-18

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 中条妃奈 ,  石崎守

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供能够进行半导体层或保护层的良好布图的薄膜晶体管阵列形成基板及其制造方法、使用了薄膜晶体管阵列形成基板的图像显示装置。薄膜晶体管阵列形成基板为在基板上按顺序层叠栅电极、栅极绝缘体层、源电极、漏电极及与漏电极相连接的像素电极、半导体层、以及保护层，兼为源电极的源极配线在其延伸方向上周期性地具备切口部，源极配线的切口部形成在重叠于栅电极的位置上，具有切口部的部位成为细源极配线、没有切口部的部位成为宽度大于细源极配线的粗源极配线，至少粗源极配线具备开口部，半导体层是源极配线延伸的方向为长度方向的条纹，且跨越源电极和漏电极而形成，保护层将半导体层全部覆盖。