公开(公告)号：CN103140920A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201180047023.2

申请日：2011-09-21

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 今村千裕 ,  原田由香里 ,  小山浩晃

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/167 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/167 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 提供一种可以高质量且低成本制造的薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法以及装备有该薄膜晶体管的图像显示装置。一种薄膜晶体管，在绝缘基板上至少包括：栅电极；栅极绝缘层；源电极；漏电极；包含半导体区和绝缘区的金属氧化物层，半导体区和绝缘区中的每一个由相同的金属氧化物材料组成；和绝缘保护层。半导体区包括在源电极与漏电极之间的区域，且其覆盖源电极和栅电极中的每一个的一部分。半导体区形成在栅极绝缘层与绝缘保护层之间以与栅极绝缘层和绝缘保护层中的至少一层邻接。与半导体区邻接的栅极绝缘层或绝缘保护层的一部分中含有的氢原子浓度设定在1X1020/cm3至5X1022/cm3的范围内，包括端点值。不与半导体区邻接的栅极绝缘层或绝缘保护层的另一部分中含有的氢原子浓度设定为低于1X1020/cm3。