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公开(公告)号：CN112933406B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202110088660.X
申请日：2021-01-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: A61N1/36 , C12N5/0797
Abstract: 本发明提供一种脑微器件及其制造方法，包括电刺激部分和细胞培养部分，所述电刺激部分包括刺激电路和刺激电极，所述刺激电极为可植入刺激电极，一部分刺激电极作为正极，另一部分刺激电极作为负极，所述刺激电路产生电流传到刺激电极，通过外界液体环境导电，将电流从正极流向负极；所述细胞培养部分包括外轮廓以及设置在所述外轮廓上表面的至少三个腔室，第一腔室用于培养干细胞，第二腔室作为出液口，第三腔室作为进液口，腔室之间通过微流控通道相连。上述脑微器件及其制造方法使得干细胞和电刺激共同作用。
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公开(公告)号：CN112933406A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110088660.X
申请日：2021-01-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: A61N1/36 , C12N5/0797
Abstract: 本发明提供一种脑微器件及其制造方法，包括电刺激部分和细胞培养部分，所述电刺激部分包括刺激电路和刺激电极，所述刺激电极为可植入刺激电极，一部分刺激电极作为正极，另一部分刺激电极作为负极，所述刺激电路产生电流传到刺激电极，通过外界液体环境导电，将电流从正极流向负极；所述细胞培养部分包括外轮廓以及设置在所述外轮廓上表面的至少三个腔室，第一腔室用于培养干细胞，第二腔室作为出液口，第三腔室作为进液口，腔室之间通过微流控通道相连。上述脑微器件及其制造方法使得干细胞和电刺激共同作用。
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公开(公告)号：CN113144428B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202110081735.1
申请日：2021-01-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: A61N5/06
Abstract: 本发明提供一种多通道无线光遗传刺激系统及方法，包括上位机、光刺激器以及阵列式刺激光极，所述光刺激器包括多个刺激通道，不同刺激通道与阵列式刺激光极的不同区域电连通，所述上位机用于设置光刺激参数，所述光刺激参数包括脉冲的频率、占空比、刺激时间和一个或多个刺激通道，所述上位机和光刺激器无线连接，所述光刺激器接收上位机设置的光刺激参数，输出电脉冲信号给光刺激参数中刺激通道电连通的阵列式刺激光极的区域。上述方法及系统能独立选择刺激的区域。
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公开(公告)号：CN113144428A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110081735.1
申请日：2021-01-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: A61N5/06
Abstract: 本发明提供一种多通道无线光遗传刺激系统及方法，包括上位机、光刺激器以及阵列式刺激光极，所述光刺激器包括多个刺激通道，不同刺激通道与阵列式刺激光极的不同区域电连通，所述上位机用于设置光刺激参数，所述光刺激参数包括脉冲的频率、占空比、刺激时间和一个或多个刺激通道，所述上位机和光刺激器无线连接，所述光刺激器接收上位机设置的光刺激参数，输出电脉冲信号给光刺激参数中刺激通道电连通的阵列式刺激光极的区域。上述方法及系统能独立选择刺激的区域。
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