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公开(公告)号：CN1281549C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410009087.5
申请日：2004-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/63 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 一种镍内电极钛酸钡基多层陶瓷电容器纳米瓷粉及其制备方法，涉及钛酸钡基多层陶瓷电容器纳米级介电材料。本发明采用湿化学方法中的共沉淀方法，经过合理配方，优化合成工艺，在较低的温度下，制备出用于MLCC，并适于镍内电极，且具有抗还原性的钛酸钡基20～50nm粉末钙钛矿相的焙烧粉末，此粉末在还原气氛中，于1150℃～1250℃烧结1～2小时，便可烧成以钛酸钡为主的高介电性能、适于镍内电极的Y5V多层陶瓷电容器。制成的介电陶瓷室温介电常数高达9400，介电损耗1～3%，电阻率≥1012～1013Ω·cm。本发明设备简单，成本低廉，制备出的陶瓷能满足MLCC高性能、小型化、贱金属化发展趋势的要求。
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公开(公告)号：CN1569738A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410009087.5
申请日：2004-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/63 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 一种镍内电极钛酸钡基多层陶瓷电容器纳米瓷粉及其制备方法，涉及钛酸钡基多层陶瓷电容器纳米级介电材料。本发明采用湿化学方法中的共沉淀方法，经过合理配方，优化合成工艺，在较低的温度下，制备出用于MLCC，并适于镍内电极，且具有抗还原性的钛酸钡基20～50nm粉末钙钛矿相的焙烧粉末，此粉末在还原气氛中，于1150℃～1250℃烧结1～2小时，便可烧成以钛酸钡为主的高介电性能、适于镍内电极的Y5V多层陶瓷电容器。制成的介电陶瓷室温介电常数高达9400，介电损耗1～3％，电阻率≥1012～1013Ω.cm。本发明设备简单，成本低廉，制备出的陶瓷能满足MLCC高性能、小型化、贱金属化发展趋势的要求。
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公开(公告)号：CN1139948C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN02117624.8
申请日：2002-05-10
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01G4/12 , H01B3/12 , C04B35/622
Abstract: 一种纳米级多层陶瓷电容器介电材料的制备方法，属于电子陶瓷材料的制备，特别涉及一种铅系陶瓷粉料的制备。本方法是针对铌镁酸铅-钛酸铅粉料颗粒过大，烧结温度过高，电极成本过高和铅的挥发等问题采用湿化学中的共沉淀方法，在较低的温度下，制备出了一种以铌镁酸铅为主的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)纳米级高性能多层陶瓷电容器(MLCC)介电陶瓷粉料，粉料颗粒尺寸在10～30nm，2小时烧结成陶瓷的室温介电常数高达12000～16000，介电损耗1～3%，电阻率≥1012Ω.cm，击穿电压10～14kv/mm，容温变化率在-30℃至+85℃之间≤-56%，+22%。该方法设备简单，成本低廉，能满足MLCC高性能小型化的趋势。
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公开(公告)号：CN1375843A
公开(公告)日：2002-10-23
申请号：CN02117624.8
申请日：2002-05-10
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01G4/12 , H01B3/12 , C04B35/622
Abstract: 一种纳米级多层陶瓷电容器介电材料的制备方法,属于电子陶瓷材料的制备,特别涉及一种铅系陶瓷粉料的制备。本方法是针对铌镁酸铅－钛酸铅粉料颗粒过大,烧结温度过高,电极成本过高和铅的挥发等问题采用湿化学中的共沉淀方法,在较低的温度下,制备出了一种以铌镁酸铅为主的铌镁酸铅－钛酸铅(PMN－PT)纳米级高性能多层陶瓷电容器(MLCC)介电陶瓷粉料,粉料颗粒尺寸在10～30nm,2小时烧结成陶瓷的室温介电常数高达12000～16000,介电损耗1～3%,电阻率≥1012Ω.cm,击穿电压10～14kv/mm,容温变化率在－30℃至+85℃之间≤－56%,+22%。该方法设备简单,成本低廉,能满足MLCC高性能小型化的趋势。
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