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公开(公告)号：CN103114266A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310075003.7
申请日：2013-03-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明针对有机物元件挥发污染及电磁干扰的问题，提出一种通过低温（不能超过有机物软化温度）物理涂镀的方法和可靠工艺在有机物表面涂镀一层或多层金属涂层，使该金属涂层能全面包覆有机物元件，并具有在静磁场、各种频率下的电磁屏蔽功能。涂层成份包括高磁导率的铁、钴、镍及高电导率的金、银、铜、铝等两类金属，涂层的厚度根据需要可以从纳米级别到微米级别可控，涂镀的具体方法和工艺可根据不同材料和工况的需要选择溅射、蒸镀、脉冲、电弧等各种等离子真空沉积，这些制备工艺成熟可靠，成本较低，适合大工业化生产。
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公开(公告)号：CN1281549C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410009087.5
申请日：2004-05-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/63 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: 一种镍内电极钛酸钡基多层陶瓷电容器纳米瓷粉及其制备方法，涉及钛酸钡基多层陶瓷电容器纳米级介电材料。本发明采用湿化学方法中的共沉淀方法，经过合理配方，优化合成工艺，在较低的温度下，制备出用于MLCC，并适于镍内电极，且具有抗还原性的钛酸钡基20～50nm粉末钙钛矿相的焙烧粉末，此粉末在还原气氛中，于1150℃～1250℃烧结1～2小时，便可烧成以钛酸钡为主的高介电性能、适于镍内电极的Y5V多层陶瓷电容器。制成的介电陶瓷室温介电常数高达9400，介电损耗1～3%，电阻率≥1012～1013Ω·cm。本发明设备简单，成本低廉，制备出的陶瓷能满足MLCC高性能、小型化、贱金属化发展趋势的要求。
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公开(公告)号：CN1638167A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410009939.0
申请日：2004-12-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种含有合成反铁磁结构的双磁性隧道结及其制备方法。双磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成，其钉扎层为一个合成反铁磁三层结构。该双磁性隧道结金属膜是采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备而成。本发明的优点在于：巧妙的利用金属钌层和两个绝缘层的组合，大幅度地提高双磁性隧道结在室温下的磁电阻效应。合成反铁磁结构作为钉扎层也有效的改善了钉扎效果，提高了器件的输出灵敏度。
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公开(公告)号：CN1160477C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN02116688.9
申请日：2002-04-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C14/24
Abstract: 本发明提供了一种霍尔型离子辅助蒸发源，由阴极灯丝(31)、阳极(32)、供气系统、磁路等部件组成，其特征在于：蒸发源通过法兰背板(36)安装在未详细说明的真空室壁上。在蒸发源的上部安装有可发射热电子的阴极灯丝(31)，灯丝通过陶瓷绝缘垫(37)与离子源其他部件绝缘；在放电室(38)下部安装了阳极(32)，在阳极上构造出装载膜料的坩埚(39)，坩埚底部有水冷室(40)，阳极通过螺栓(41)与下部的布气板(42)连接；在布气板上构造出环型布气槽(43)。本发明的优点在于：可以用来镀前清洗，在用金属膜料镀制非金属膜时，可以将反应气体直接馈入蒸发源内并使其离化，从而进行反应镀膜，增加反应程度。
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公开(公告)号：CN103698214B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310746964.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N3/08
Abstract: 本发明是一种测量应力作用下材料微观力学性能的加载装置及方法，加载装置包括加载装置主体、施力刀和螺钉，加载装置主体设置加载螺孔，加载螺孔下方设置施力刀卡槽，两个侧框由支撑刀构成，作为支撑平台；施力刀为尖契形，尖契形的刀头为圆角；螺钉上的螺纹与加载装置主体的加载螺孔相配合，螺帽顶部开直槽，用于旋入加载螺孔，并对施力刀施加正压力。本发明能很方便的、简单、直接的运用于Nano Indenter（MTS,USA）纳米压痕仪，且不需要对仪器进行改造、加工。进一步简化了加载方法，使得材料所受应力的理论计算值和真实值更加吻合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103114276B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310074074.5
申请日：2013-03-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明为一种快速制备类金刚石薄膜的方法及装备。采用射频空心阴极效应，将等离子体束缚在一个特定的区域，负辉区合并，气体离化率成倍增加。同时，射频辉光放电过程中，电子被束缚在电极间，在放电空间来回运动，增加了与气体分子碰撞的次数，使电离能力显著提高从而提高等离子体的密度和能量，进而提高薄膜的沉积速率和膜质量，并显著提高生产效率，降低产品成本，易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN101148323B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200710121467.1
申请日：2007-09-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧MgO-Al2O3-SiO2系玻璃-陶瓷基板粉料及其制备方法，是在堇青石2MgO·2Al2O3·5SiO2配方的基础上，从晶体化学的角度出发，通过在该体系中添加助烧剂B2O3和Bi2O3，以及改性剂TiO2、CuO、CaO、K2O中的三种或全部来改善其性能。粉料制备采用溶胶-凝胶法合成工艺，焙烧温度为700～750℃，烧结温度为850～900℃。本发明的低温共烧MgO-Al2O3-SiO2系玻璃-陶瓷基板粉料具有烧结温度低，介电常数低，介质损耗小，绝缘电阻大，制备工艺简单等优点，可用于制备低温共烧陶瓷(LTCC)基板的粉料。
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公开(公告)号：CN101148323A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710121467.1
申请日：2007-09-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低温共烧MgO－Al2O3－SiO2系玻璃－陶瓷基板粉料及其制备方法，是在堇青石2MgO·2Al2O3·5SiO2配方的基础上，从晶体化学的角度出发，通过在该体系中添加助烧剂B2O3和Bi2O3，以及改性剂TiO2、CuO、CaO、K2O中的三种或全部来改善其性能。粉料制备采用溶胶－凝胶法合成工艺，焙烧温度为700～750℃，烧结温度为850～900℃。本发明的低温共烧MgO－Al2O3－SiO2系玻璃－陶瓷基板粉料具有烧结温度低，介电常数低，介质损耗小，绝缘电阻大，制备工艺简单等优点，可用于制备低温共烧陶瓷(LTCC)基板的粉料。
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公开(公告)号：CN1606065A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410009804.4
申请日：2004-11-16
Applicant: 北京科技大学
IPC: G11B5/39
Abstract: 本发明提供了一种具有单磁畴结构的电流垂直于平面构型自旋阀结构及其制备方法。自旋阀由底电极层、反铁磁层、钴或钴铁合金、金属钌层、金属铜层、顶电极层组成。其制备方法是采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段首先制备出自旋阀结构；然后通过电子束印刷和离子刻蚀的手段制备出纳米尺寸的自旋阀器件。本发明的优点在于：巧妙的利用两个SyAF结构的组合，既能改善自旋阀的磁结构，又能够大幅度地提高自旋阀在室温下的磁电阻效应。
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公开(公告)号：CN103698214A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310746964.6
申请日：2013-12-30
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01N3/08
Abstract: 本发明是一种测量应力作用下材料微观力学性能的加载装置及方法，加载装置包括加载装置主体、施力刀和螺钉，加载装置主体设置加载螺孔，加载螺孔下方设置施力刀卡槽，两个侧框由支撑刀构成，作为支撑平台；施力刀为尖契形，尖契形的刀头为圆角；螺钉上的螺纹与加载装置主体的加载螺孔相配合，螺帽顶部开直槽，用于旋入加载螺孔，并对施力刀施加正压力。本发明能很方便的、简单、直接的运用于NanoIndenter（MTS,USA）纳米压痕仪，且不需要对仪器进行改造、加工。进一步简化了加载方法，使得材料所受应力的理论计算值和真实值更加吻合。
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