公开(公告)号：CN104016294B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201310066230.3

申请日：2013-03-01

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 王琦 ,  王二洋 ,  李伯昌 ,  任晓敏 ,  贾志刚 ,  闫映策 ,  蔡世伟 ,  黄永清

IPC: B81B1/00 ,  B81C99/00

Abstract: 本发明公开了一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法。纳米管与微米管是由单晶Si衬底上外延生长的III-V族应变半导体薄膜自卷曲所形成两端非封闭的圆柱形中空管状结构，其直径为1nm-100μm，其长度为1μm-1mm。这种管状结构在硅基光子学、微电机系统、传感等领域都有极大的应用价值。本发明集成了“由下至上”的异变外延生长和“由上而下”的光刻腐蚀技术。通过侧向腐蚀III-V族牺牲层，使III-V族应变双层薄膜从Si上释放并卷曲成管。该方法与III-V族光电子与微电子器件工艺兼容，具有制管工艺简单、管形貌好、管尺寸可控等优点，易在Si上形成大面积、规则一致的III-V族纳米管或微米管阵列。

公开(公告)号：CN104016294A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201310066230.3

申请日：2013-03-01

Applicant: 北京邮电大学

Inventor： 王琦 ,  王二洋 ,  李伯昌 ,  任晓敏 ,  贾志刚 ,  闫映策 ,  蔡世伟 ,  黄永清

IPC: B81B1/00 ,  B81C99/00

Abstract: 本发明公开了一种硅基III-V族纳米管与微米管及其制备方法。纳米管与微米管是由单晶Si衬底上外延生长的III-V族应变半导体薄膜自卷曲所形成两端非封闭的圆柱形中空管状结构，其直径为1nm-100μm，其长度为1μm-1mm。这种管状结构在硅基光子学、微电机系统、传感等领域都有极大的应用价值。本发明集成了“由下至上”的异变外延生长和“由上而下”的光刻腐蚀技术。通过侧向腐蚀III-V族牺牲层，使III-V族应变双层薄膜从Si上释放并卷曲成管。该方法与III-V族光电子与微电子器件工艺兼容，具有制管工艺简单、管形貌好、管尺寸可控等优点，易在Si上形成大面积、规则一致的III-V族纳米管或微米管阵列。