公开(公告)号：CN105347692A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510876448.4

申请日：2015-12-03

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 郭一欣 ,  程文娟 ,  江锦春 ,  左少华 ,  石富文 ,  褚君浩

IPC: C03C17/22 ,  C03C17/23

Abstract: 本发明公开了一种低温超声雾化热解沉积锂掺杂立方相SnO2薄膜的方法，该方法以氯化亚锡为溶质、无水乙醇与去离子水为溶剂、无机锂盐为掺杂剂混合成溶液，将溶液置于雾化罐中，衬底设置于夹具中，对衬底进行超声雾化热解喷涂，得到沉积于衬底上透过率导电性优良的SnO2薄膜。锂离子以间隙离子的形式存在于SnO2晶格间隙中，可提供一个导电电子，提高自由载流子的浓度，提升透明导电薄膜的综合性能。本发明采用高频超声波来雾化前驱溶液，可获得细小、均匀的雾气，通过对垂直衬底夹具的改进，能降低制备所需温度，节约能源，保护加热平台；本发明能在较低压力和较低温度下制备立方相二氧化锡薄膜。

公开(公告)号：CN112349828B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202011138507.5

申请日：2020-10-22

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 李振冲 ,  詹清峰 ,  程文娟 ,  蒋冬梅

IPC: H10N30/01 ,  H10N35/85 ,  H10N35/01 ,  H10N35/00 ,  H10N30/20 ,  H10N30/05

Abstract: 本发明公开了一种单晶磁性/铁电多层膜异质结及制备方法和应用，该多层膜异质结由下至上依次为单晶铁电衬底、单晶缓冲层、单晶磁性层以及保护层。在衬底与磁性层间插入缓冲层能间接减小衬底与磁性层间的晶格失配，从而在单晶铁电衬底上外延生长单晶磁性层。将电场发生装置与多层膜异质结连接，对铁电衬底施加大小和方向可控的电场，铁电衬底由于逆压电效应产生应力，该应力经由氧化物缓冲层传递至磁性层，磁性层由于逆磁致伸缩效应或磁性转变效应产生相应的磁性响应。通过改变所施加电场的大小和方向，可以实现电场对磁性的调控，大大减小器件的能耗。

公开(公告)号：CN112349828A

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN202011138507.5

申请日：2020-10-22

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 李振冲 ,  詹清峰 ,  程文娟 ,  蒋冬梅

IPC: H01L41/22 ,  H01L41/06 ,  H01L41/09 ,  H01L41/12 ,  H01L41/187 ,  H01L41/27 ,  H01L41/47

Abstract: 本发明公开了一种单晶磁性/铁电多层膜异质结及制备方法和应用，该多层膜异质结由下至上依次为单晶铁电衬底、单晶缓冲层、单晶磁性层以及保护层。在衬底与磁性层间插入缓冲层能间接减小衬底与磁性层间的晶格失配，从而在单晶铁电衬底上外延生长单晶磁性层。将电场发生装置与多层膜异质结连接，对铁电衬底施加大小和方向可控的电场，铁电衬底由于逆压电效应产生应力，该应力经由氧化物缓冲层传递至磁性层，磁性层由于逆磁致伸缩效应或磁性转变效应产生相应的磁性响应。通过改变所施加电场的大小和方向，可以实现电场对磁性的调控，大大减小器件的能耗。

公开(公告)号：CN111208455A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN202010017799.0

申请日：2020-01-08

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 张慧 ,  程文娟 ,  蒋冬梅 ,  詹清峰

IPC: G01R33/12

Abstract: 本发明公开了一种铁磁体探针探测反铁磁体磁各向异性的方法，其特点是采用磁性探针层与反铁磁层的多层膜结构，以磁性探针利用FM/AF界面的交换耦合作用，通过磁光克尔效应（MOKE）的光信号检测铁磁层，得到反铁磁层的磁性信息。本发明与现有技术相比具有通过磁光克尔效应（MOKE）的光信号检测铁磁层即可得到反铁磁层的磁性信息，大大简化了探测反铁磁结构，为探测反铁磁层材料的磁信息提供了一种表征反铁磁性材料的新方法。

公开(公告)号：CN105355720B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510876402.2

申请日：2015-12-03

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 郭一欣 ,  江锦春 ,  程文娟 ,  石富文 ,  左少华 ,  褚君浩

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种制备铜锡硫薄膜太阳能电池吸收层方法，该方法将高纯度的水溶性金属盐和硫源溶于去离子水中，分别放在不同的超声雾化罐中，通过一步超声雾化热解结合原位退火法，无需后续硫化就可以得到高质量的太阳能电池吸收层薄膜。本发明提高了前驱体溶液的稳定性，减少硫源的使用量，精确控制金属离子比例，实现高质量的铜锡硫半导体薄膜的制备。

公开(公告)号：CN105355720A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510876402.2

申请日：2015-12-03

Applicant: 华东师范大学

Inventor： 郭一欣 ,  江锦春 ,  程文娟 ,  石富文 ,  左少华 ,  褚君浩

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/1864

Abstract: 本发明公开了一种制备铜锡硫薄膜太阳能电池吸收层方法，该方法将高纯度的水溶性金属盐和硫源溶于去离子水中，分别放在不同的超声雾化罐中，通过一步超声雾化热解结合原位退火法，无需后续硫化就可以得到高质量的太阳能电池吸收层薄膜。本发明提高了前驱体溶液的稳定性，减少硫源的使用量，精确控制金属离子比例，实现高质量的铜锡硫半导体薄膜的制备。