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发明公开
一种高一致性免串扰HfAlOy/TiOx多层膜神经元阵列及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116490057A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202211679673.5

申请日：2022-12-16

Applicant: 南京大学

Inventor： 马忠元 , 胡宏升 , 陈通 , 杨洋 , 李伟 , 陈坤基 , 徐骏 , 徐岭

IPC: H10N70/20 , H10B63/00

Abstract: 本发明涉及高一致性免串扰HfAlOy/TiOx多层膜神经元阵列，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器的特征在于：神经元阵列由HfAlOx/TiOx多层膜作为阻变层，阻变层的下电极上方构筑了镶嵌在氮化硅层中铝接触点，阻变层上表面的工字型电极和下表面的工字型电极互相垂直，本发明与当前的微电子工艺技术相兼容，可以通过调控HfAlOx/TiOx多层膜中子层厚度来控制氧空位通道的粗细和断裂连接位置，从而提升器件工作性能的一致性，下电极接触点彼此之间通过氮化硅绝缘可以避免单元器件之间的串扰，为神经形态器件的集成提供了硬件保证。

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