公开(公告)号：CN120032951A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411499467.5

申请日：2024-10-25

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 花涛 ,  许伟伟 ,  覃翠 ,  唐晓雨 ,  余辉龙

IPC: H01B12/06 ,  H01B12/16 ,  H01F6/00 ,  H01F6/04

Abstract: 本发明属于超导磁通涡旋整流技术领域，本发明提供了一种可开关整流的超导磁通涡旋整流器系统，包括激光源、挡板和处于低温以及磁场环境中对称结构的超导薄膜微桥，所述低温为温度低于超导薄膜材料的超导临界温度TC，所述挡板设有比所述超导薄膜微桥面积小的孔洞，所述挡板的面积比所述超导薄膜微桥大，所述激光源发出的激光穿过挡板上的孔洞后，和挡板孔洞相同形状光斑的激光照射到所述超导薄膜微桥上。本发明提供了一种可开关整流的超导磁通涡旋整流器系统，能够在有着非对称钉扎体系的磁通整流体系和有着对称钉扎体系的对称结构超导微桥之间进行很好的控制切换，能够对磁通整流器的整流特性进行开关操作。

公开(公告)号：CN110085664A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910480592.4

申请日：2019-06-04

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 花涛 ,  许伟伟 ,  唐蕾 ,  刘伟伟 ,  唐晓雨

IPC: H01L29/06 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明公开了整流器件技术领域的一种基于超导本征结阵列的高频整流器件，旨在解决现有技术中利用二极管进行整流受工作频率和温度限制大的技术问题。所述器件包括与水平磁场平行的衬底基片，衬底基片上设有两电极，两电极之间设有若干组形成互补对称结构且上表面平行于衬底基片的正向不对称结面边界形状的BSCCO单晶和反向不对称结面边界形状的BSCCO单晶，其CuO层均平行于衬底基片，相邻正向不对称结面边界形状的BSCCO单晶与反向不对称结面边界形状的BSCCO单晶之间通过下层BSCCO单晶连接层或上层BSCCO单晶连接层连接，下层BSCCO单晶连接层和上层BSCCO单晶连接层均间隔设置。

公开(公告)号：CN105702567A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610075176.2

申请日：2016-02-03

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 花涛 ,  许伟伟 ,  王青云 ,  沈卫康 ,  梁瑞宇 ,  包永强

IPC: H01L21/027 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2493 ,  H01L21/0274

Abstract: 本发明提供一种高温超导结的制备方法及其超导临界电流的计算方法，高温超导结的制备方法为：在双晶基片上生长一层高温超导薄膜；热蒸发电极；在薄膜上甩上一层光刻胶后烘干；并在光刻过程中，使双晶晶界与掩模板微桥图形呈一定角度倾斜，夹角为θ；紫外线曝光；显影；离子刻蚀；去除光刻胶，制备出高温超导Josephson双晶结。利用本发明优势在于，想要调整高温超导Josephson结的超导临界电流大小，不需要重新制备掩模板、改变微桥宽度，只需要在光刻过程中调整晶界与掩模板上微桥图形的夹角θ，就可以精确控制制备的高温超导Josephson结的超导临界电流大小，且其超导临界电流值可以是在连续数值范围的任意值。

公开(公告)号：CN110085664B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201910480592.4

申请日：2019-06-04

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 花涛 ,  许伟伟 ,  唐蕾 ,  刘伟伟 ,  唐晓雨

IPC: H01L29/06 ,  H02M7/00

Abstract: 本发明公开了整流器件技术领域的一种基于超导本征结阵列的高频整流器件，旨在解决现有技术中利用二极管进行整流受工作频率和温度限制大的技术问题。所述器件包括与水平磁场平行的衬底基片，衬底基片上设有两电极，两电极之间设有若干组形成互补对称结构且上表面平行于衬底基片的正向不对称结面边界形状的BSCCO单晶和反向不对称结面边界形状的BSCCO单晶，其CuO层均平行于衬底基片，相邻正向不对称结面边界形状的BSCCO单晶与反向不对称结面边界形状的BSCCO单晶之间通过下层BSCCO单晶连接层或上层BSCCO单晶连接层连接，下层BSCCO单晶连接层和上层BSCCO单晶连接层均间隔设置。