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公开(公告)号：CN2359842Y
公开(公告)日：2000-01-19
申请号：CN98249026.7
申请日：1998-11-23
Applicant: 南开大学
IPC: H04N5/225
Abstract: 本实用新型涉及非晶硅有源寻址面阵图像传感器的制造。带有TFT/PIN面阵图像传感器矩阵的下玻璃板衬底、上玻璃板、密封胶圈、密封盒内充填的氮气和薄膜TFT/PIN图像传感器矩阵和电极引线构成非晶硅有源寻址面阵图像传感器;本实用新型是用低温聚酰亚胺与非晶硅材料共同形成冗余结构,既保持了聚酰亚胺绝缘层的绝缘特性,又提高了PI层耐后道微细加工能力,可提高制备TFT/PIN面阵图像传感器的成品率;而面阵器件的整体真空封装,将使面阵传感器性能稳定性得到提高。
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