公开(公告)号：CN115000238B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202210497724.6

申请日：2022-05-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  袁萌 ,  付钊 ,  张宇宁 ,  张明昆

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/107

Abstract: 一种等离激元增强局域雪崩的紫外光电探测器及制备方法，属于半导体探测器件领域。采用化学气相传输法同质外延法在N+型宽禁带半导体衬底上依次生长N型缓冲层和i型吸收层，再通过化学气相沉积的方式生长P型层；利用光刻和ICP刻蚀的方式在PiN结构的宽禁带半导体外延片上刻蚀倾斜台面；利用光刻和ICP刻蚀的方式刻蚀微孔结构；利用热氧化和化学气相沉积的方式生长二氧化硅钝化层以及开窗；利用光刻和磁控溅射的方式制作P电极和N电极；利用PS微球溶液在器件表面制备PS掩模板,沉积金属膜，剥离PS掩模板后获得表面金属纳米颗粒阵列。表面金属颗粒激发等离激元场增强，更好的实现紫外光电器件的局域雪崩，并降低雪崩电压。

公开(公告)号：CN115000238A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210497724.6

申请日：2022-05-09

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张峰 ,  袁萌 ,  付钊 ,  张宇宁 ,  张明昆

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/107

Abstract: 一种等离激元增强局域雪崩的紫外光电探测器及制备方法，属于半导体探测器件领域。采用化学气相传输法同质外延法在N+型宽禁带半导体衬底上依次生长N型缓冲层和i型吸收层，再通过化学气相沉积的方式生长P型层；利用光刻和ICP刻蚀的方式在PiN结构的宽禁带半导体外延片上刻蚀倾斜台面；利用光刻和ICP刻蚀的方式刻蚀微孔结构；利用热氧化和化学气相沉积的方式生长二氧化硅钝化层以及开窗；利用光刻和磁控溅射的方式制作P电极和N电极；利用PS微球溶液在器件表面制备PS掩模板,沉积金属膜，剥离PS掩模板后获得表面金属纳米颗粒阵列。表面金属颗粒激发等离激元场增强，更好的实现紫外光电器件的局域雪崩，并降低雪崩电压。

公开(公告)号：CN222882143U

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202421108728.1

申请日：2024-05-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 吕国兴 ,  张宇宁 ,  刘艳 ,  罗松 ,  张龙 ,  陈张海

IPC: G01J3/28 ,  G01J3/02 ,  G01N21/31 ,  G01N21/35

Abstract: 一种基于线阵CCD的角分辨光谱测量装置，涉及成像领域。包括入射光路、实空间成像反射光路、k空间成像反射光路；入射光路为装置提供光源，并聚焦于样品待测区域以激发样品；实空间成像反射光路用于对光源激发区域的样品进行成像；k空间成像反射光路用于测量样品在动量空间中的光学信息。Labview上位机控制位移台和光谱仪协同作用，来实现对整个K空间光谱数据信息的自动化采集，为微腔激子极化激元的研究提供一种实用高效的光谱检测技术。

公开(公告)号：CN219392207U

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202320309709.4

申请日：2023-02-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张宇宁 ,  蔡加法 ,  张峰 ,  吴少雄

IPC: G01R31/265

Abstract: 一种光电二极管高速响应时间测量装置，属于传感器检测技术域。包括：脉冲激光器、光电二极管、读出电路、屏蔽外壳、光学调节架、稳压电源、可控开关、示波器；采用脉冲激光器作为测试光源，光电二极管通过特制的读出电路，将光响应电流转换成电压信号，用示波器采集光响应的脉冲信号，通过分析脉冲信号的上升和下降时间可准确测量高速光电二极管探测器的响应时间。可避免传统测量方法中，通过斩波器调制光强所引起的脉宽压缩能力有限的问题，可有效提高高速光电探测器响应时间的测量精度。适用于各种高速光电二极管探测器，其结构紧凑、操作简单方便，填补对高速光电二极管响应时间测量技术方面的空白，对光电探测器的研发和测试起到重要作用。