公开(公告)号：CN106975756B

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201710222650.4

申请日：2017-04-07

Applicant: 厦门大学 ,  厦门大学深圳研究院

Inventor： 谢水奋 ,  王伟 ,  许清池 ,  杨文

IPC: B22F9/24 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种铑碲合金空心纳米管的制备方法，涉及纳米管。提供方法简单易行，可大量制备晶态良好、原子利用率高、高稳定性的一维铑碲中空纳米管状材料的一种铑碲合金空心纳米管的制备方法。制备碲纳米线；制备RhTe合金纳米管；将得到的RhTe合金纳米管经过NaOH处理，即得高Rh含量的铑碲合金空心纳米管。利用湿部化学的方法，以结构稳定、可大量制备的超细Te纳米线为牺牲模板，经过置换过程后得到形貌规则的RhTe空心纳米管状材料。通过改变金属前驱体盐氯铑酸钠十二水合物的投料量以置换反应机理过程来调控合成不同厚度、高纵横比RhTe空心纳米管。

公开(公告)号：CN105668506A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610044785.1

申请日：2016-01-22

Applicant: 厦门大学

Inventor： 张保平 ,  杨文 ,  龙浩

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00539

Abstract: 一种在001面硅片上腐蚀出111硅面的方法，涉及半导体MEMS器件。包括以下步骤：将(001)面硅片清洗后，用BOE去除表面的氧化层，在(001)面硅片表面生长一层SiO2薄膜作为掩膜；光刻显影出沿(110)晶向的长方形和正方形图形，再后烘；把硅片放入BOE中去除没有光刻胶保护的部分SiO2掩膜；去除光刻胶；把样品放入KOH溶液中进行腐蚀；将腐蚀好的硅片放入硫酸和双氧水溶液中，反应后用水冲洗，即在001面硅片上腐蚀出111硅面。可克服低浓度KOH导致的腐蚀表面粗糙，还可克服高浓度KOH腐蚀率的慢的不利因素，且可以忽略侧向腐蚀，有效缩短工艺周期，降低成本。

公开(公告)号：CN106975756A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201710222650.4

申请日：2017-04-07

Applicant: 厦门大学

Inventor： 谢水奋 ,  王伟 ,  许清池 ,  杨文

IPC: B22F9/24 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B22F9/24 ,  B22F1/0018 ,  B22F2001/0029 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种铑碲合金空心纳米管的制备方法，涉及纳米管。提供方法简单易行，可大量制备晶态良好、原子利用率高、高稳定性的一维铑碲中空纳米管状材料的一种铑碲合金空心纳米管的制备方法。制备碲纳米线；制备RhTe合金纳米管；将得到的RhTe合金纳米管经过NaOH处理，即得高Rh含量的铑碲合金空心纳米管。利用湿部化学的方法，以结构稳定、可大量制备的超细Te纳米线为牺牲模板，经过置换过程后得到形貌规则的RhTe空心纳米管状材料。通过改变金属前驱体盐氯铑酸钠十二水合物的投料量以置换反应机理过程来调控合成不同厚度、高纵横比RhTe空心纳米管。