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公开(公告)号：CN112053942A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010958847.6
申请日：2020-09-14
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/205 , C23C16/02 , C23C16/30
Abstract: 一种在石墨烯上生长GaN薄膜的方法，属于半导体技术领域。其首先是在衬底层上生长石墨烯层，然后利用等离子体对生长的石墨烯层表面进行预处理；之后采用MOCVD方法在石墨烯层上依次外延生长AlN缓冲层和GaN层，生长源为三甲基铝、三甲基镓和高纯氨气，生长温度为700～1300℃，生长压强为50～400mbar；从而在石墨烯上生长得到GaN薄膜。其中，AlN缓冲层采用的是两步温度生长法制备，即先低温(700～900℃)在石墨烯层上外延长低温AlN层，再升高温度(1000～1300℃)继续外延高温AlN层。本发明方法不仅可以在石墨烯上获得高密度的AlN成核岛，还可以促进高密度AlN成核岛的横向合并，从而能够为后续GaN的生长提供足够的成核位点，实现GaN薄膜的外延生长。
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