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公开(公告)号：CN102616830B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210105253.6
申请日：2012-04-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。以闪锌矿结构的Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒为初始原料，在压力5.0～7.0GPa，温度600～800℃下，保压30～50分钟，冷却卸压得到岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒。本发明利用高温高压方法合成了岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒；岩盐矿CdS稀磁半导体的禁带宽度为1.5～1.7eV，并且是一种间接带隙半导体，通过岩盐矿和闪锌矿结构结合，带隙可以由近紫外到远红外整个光谱区内连续变化，同时因为它具有室温铁磁性，将是各种光电子和磁光器件的理想材料。
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公开(公告)号：CN102616831B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201210105266.3
申请日：2012-04-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种掺铕的三硫化二铟稀磁半导体纳米材料的制备方法涉及室温下气液相化学沉积制备纳米材料的技术领域。首先将乙酸铟、乙酸铕、巯基乙醇和去离子水配制成待反应液；其次将待反应液放入密封反应室，缓慢通入过量H2S气体得到沉积溶液；最后微波加热沉积溶液再去离子水和乙醇离心清洗。本发明方法制得的In2S3:Eu3+纳米颗粒具有较高的室温饱和磁化强度，饱和磁化强度能由铕掺杂含量和充入H2S气体快慢得到控制；实验条件稳定易于操作，重复性好，便于规模化生产。
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公开(公告)号：CN102616831A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210105266.3
申请日：2012-04-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种掺铕的三硫化二铟稀磁半导体纳米材料的制备方法涉及室温下气液相化学沉积制备纳米材料的技术领域。首先将乙酸铟、乙酸铕、巯基乙醇和去离子水配制成待反应液；其次将待反应液放入密封反应室，缓慢通入过量H2S气体得到沉积溶液；最后微波加热沉积溶液再去离子水和乙醇离心清洗。本发明方法制得的In2S3:Eu3+纳米颗粒具有较高的室温饱和磁化强度，饱和磁化强度能由铕掺杂含量和充入H2S气体快慢得到控制；实验条件稳定易于操作，重复性好，便于规模化生产。
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公开(公告)号：CN102616830A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210105253.6
申请日：2012-04-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法属于稀磁半导体纳米颗粒材料制备的技术领域。以闪锌矿结构的Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒为初始原料，在压力5.0～7.0GPa，温度600～800℃下，保压30～50分钟，冷却卸压得到岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒。本发明利用高温高压方法合成了岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒；岩盐矿CdS稀磁半导体的禁带宽度为1.5～1.7eV，并且是一种间接带隙半导体，通过岩盐矿和闪锌矿结构结合，带隙可以由近紫外到远红外整个光谱区内连续变化，同时因为它具有室温铁磁性，将是各种光电子和磁光器件的理想材料。
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