-
公开(公告)号：CN101894913B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201010197162.0
申请日：2010-06-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种利用电纺丝方法，结合贵金属纳米粒子掺杂技术制备超高电荷迁移率的高分子场效应晶体管的方法。是将贵金属盐与高分子纤维混纺在一起，然后通过气相聚合或者后处理液相聚合的方法，得到贵金属纳米粒子掺杂的高分子/导电高分子核壳纳米纤维，然后进行场效应晶体管的组装。本发明制备的场效应晶体管具有高的迁移率，几乎超越了绝大多数的高分子基晶体管。如金掺杂聚丙烯腈/聚苯胺和金掺杂的聚丙烯腈/聚噻吩核壳纳米纤维的场效应最大电荷迁移率可以分别达到9.37cm2/Vs与10.35cm2/Vs。该方法工业简单，成本低廉，重复性好，并且能够制备出高迁移率的高分子场效应晶体管，将为有机电子器件的发展与应用开拓新的思路。
-
公开(公告)号：CN101894913A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010197162.0
申请日：2010-06-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种利用电纺丝方法，结合贵金属纳米粒子掺杂技术制备超高电荷迁移率的高分子场效应晶体管的方法。是将贵金属盐与高分子纤维混纺在一起，然后通过气相聚合或者后处理液相聚合的方法，得到贵金属纳米粒子掺杂的高分子/导电高分子核壳纳米纤维，然后进行场效应晶体管的组装。本发明制备的场效应晶体管具有高的迁移率，几乎超越了绝大多数的高分子基晶体管。如金掺杂聚丙烯腈/聚苯胺和金掺杂的聚丙烯腈/聚噻吩核壳纳米纤维的场效应最大电荷迁移率可以分别达到9.37cm2/Vs与10.35cm2/Vs。该方法工业简单，成本低廉，重复性好，并且能够制备出高迁移率的高分子场效应晶体管，将为有机电子器件的发展与应用开拓新的思路。
-
公开(公告)号：CN101550260A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910066961.1
申请日：2009-05-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于高介电材料技术领域，具体涉及一种含有银纳米线的高介电复合材料的制备方法。该复合材料是以银纳米线为填充材料，以聚偏氟乙烯为基体材料，其中银纳米线的体积占银纳米线和聚偏氟乙烯混合体积的5～26％。其是将银纳米线和聚偏氟乙烯加入到有机溶剂N，N－二甲基甲酰胺中，超声30～50分钟使其均匀分散，将获得的混合溶液在60～80℃加热搅拌6～10个小时，冷却至室温后将混合液体浇铸成膜，在60～80℃烘干，最后在100～120℃真空烘箱里热处理12～36小时，即得到银纳米线作为填充材料，聚偏氟乙烯作为基体材料的含有银纳米线的高介电复合材料。本发明制备的含银纳米线的高介电复合膜具有高的介电常数，很好的柔韧性，而且均匀致密。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.018 seconds)
