公开(公告)号：CN119907319A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510109226.3

申请日：2025-01-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 毕正宇 ,  周敬然 ,  阮圣平 ,  刘彩霞 ,  郭文滨 ,  沈亮 ,  温善鹏 ,  董玮 ,  张歆东

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/12 ,  H10F77/20 ,  H10F77/169 ,  H10F71/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种基于MgZnO/InGaO异质结光敏感层的高性能光电导型日盲紫外探测器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。器件从下到上由SiO2/FTO衬底、在FTO表面生长的MgZnO纳米薄膜、在MgZnO纳米薄膜表面生长的InGaO纳米薄膜、在InGaO纳米薄膜表面和FTO表面制备的Ag电极组成，MgZnO纳米薄膜和InGaO纳米薄膜构成异质结光敏感层。本发明制备的光电导型日盲紫外探测器，当处于光照条件下时，复合薄膜协同参与光子吸收，同时光电导型器件具有高增益特性，使得器件具有突出的光电流，并在日盲区(260nm)处达到光响应度峰值，为高性能日盲紫外探测器的制备提供了一种新思路。