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公开(公告)号：CN105632585A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201511014828.3
申请日：2015-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: H01B7/0009 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01B1/04 , H01B3/025 , H01B13/0036 , H01B13/06
Abstract: 本发明公开了一种SiC@SiO2同轴纳米电缆及其制备方法，所述SiC@SiO2同轴纳米电缆是一种“芯部为3C-SiC、外层为非晶态SiO2”的具有核壳结构的一维纳米材料，SiO2紧密包覆在芯部的SiC外面，其中界面处的结合为原子尺度的紧密结合。SiC@SiO2同轴纳米电缆的长度可以达到厘米量级，直径可以控制在10～1000nm，其中芯部SiC直径为2～1000nm，外壳SiO2层厚1～500nm。本发明解决了SiC纳米纤维表面容易被氧化、表面形貌和结构被破坏的问题，同时解决现有制备方法复杂、成本高、产品结构难以控制和难以规模化量产等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低及产率高的优点。
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公开(公告)号：CN105632585B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201511014828.3
申请日：2015-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种SiC@SiO2同轴纳米电缆及其制备方法，所述SiC@SiO2同轴纳米电缆是一种“芯部为3C‑SiC、外层为非晶态SiO2”的具有核壳结构的一维纳米材料，SiO2紧密包覆在芯部的SiC外面，其中界面处的结合为原子尺度的紧密结合。SiC@SiO2同轴纳米电缆的长度可以达到厘米量级，直径可以控制在10～1000nm，其中芯部SiC直径为2～1000nm，外壳SiO2层厚1～500nm。本发明解决了SiC纳米纤维表面容易被氧化、表面形貌和结构被破坏的问题，同时解决现有制备方法复杂、成本高、产品结构难以控制和难以规模化量产等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低及产率高的优点。
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公开(公告)号：CN105733309A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201511014849.5
申请日：2015-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02P20/124 , C09C1/28 , C01P2004/16 , C01P2004/80 , C09C1/0081 , C09C3/06
Abstract: 本发明公开了一种表面改性的SiC纳米线及其制备方法与应用，所述方法为：将SiC纳米线放置到管式烧结炉或可以气氛保护的加热装置中，通入氧气和氮气混合气流，然后启动加热，由室温加热至700～1400℃，控制加热速率为5～20℃/min，保温时间为30～120min，即可得到表面改性后的SiC纳米线。表面改性后的SiC纳米线为核壳结构的一维纳米材料，芯部为SiC，外层为SiO2，SiO2紧密包覆在SiC外面形成致密的包覆层，SiO2包覆层为非晶态，界面处的结合为原子尺度的紧密结合，外部的SiO2包覆层厚度可以控制为2nm~500nm。本发明解决了现有碳化硅纳米线在使用过程中的活性低、难分散、易氧化、界面结合差等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低、产率高的优点。
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公开(公告)号：CN105565319A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201511014830.0
申请日：2015-12-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02P20/124 , C01P2004/04 , C01P2004/16 , C01P2004/80
Abstract: 本发明公开了一种基于空气热氧化对SiC纳米线进行表面改性的方法与应用，所述方法为：将SiC纳米线放置到空气烧结炉或可以直接在空气中加热的装置中，直接在空气气氛中加热，由室温加热至700～1400℃，控制加热速率为5～20℃/min，保温时间为5～120min，即可得到表面改性后的SiC纳米线。表面改性后的SiC纳米线为核壳结构的一维纳米材料，芯部为SiC，外层为SiO2，SiO2紧密包覆在SiC外面形成致密的包覆层，界面处的结合为原子尺度的紧密结合，外部的SiO2包覆层厚度可以控制为2nm~500nm。本发明解决了现有碳化硅纳米线在使用过程中的活性低、难分散、易氧化、界面结合差等问题，具有制备工艺简单、节能环保、易控制、成本低、产率高的优点。
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