一种ZIF-67衍生AFeO3钙钛矿吸波材料的制备方法

    公开(公告)号:CN117794211A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311789281.9

    申请日:2023-12-22

    Abstract: 一种ZIF‑67衍生AFeO3钙钛矿吸波材料的制备方法,它涉及一种电磁波吸收材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的氧化物钙钛矿电磁吸波材料存在密度高,吸波效果差的问题。本发明基于弱配位键ZIF‑67易水解特性,通过离子势不同,控制水解过程的沉淀顺序,成功在基体外部沉淀A位离子,同时释放Co2+于溶液中,通过其与亚铁氰化钾的反应,从而引入Fe2+,通过煅烧,制备了AFeO3/C复合材料,在Ku波段获得了优异的电磁波吸收性能。其中,氧化物钙钛矿作为半导体,可有效削弱由石墨化碳高导电特性引起的趋肤效应。本发明可获得一种ZIF‑67衍生AFeO3钙钛矿吸波材料。

    一种MOF基多相复合型电磁波吸收材料的制备方法

    公开(公告)号:CN117119778A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311104817.9

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 一种MOF基多相复合型电磁波吸收材料的制备方法,它涉及一种电磁波吸收材料的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有方法制备的宽窄的问题ABO。3本发明基于型钙钛矿电磁吸波材料存在衰减效果差MIL‑88A中金属Fe3+离子,通过刻蚀成、吸波频功在MIL‑88A中衍生出氧化物钙钛矿相,制备了分级中空纳米复合材料。此结构中,氧化物钙钛矿作为典型的尖晶石类P型半导体,通过外覆石墨化碳壳与周围Fe单质相复合,利用具有金属半导体触点的异质结效应,产生效果优异的界面极化过程,显著增强复合材料的介电损耗性能。同时通过消耗多余金属Fe3+以调节复合材料阻抗匹配,获得了优异的电磁吸波性能。

    MOF衍生A位掺杂的ABO3型钙钛矿材料的制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117586010A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311658957.0

    申请日:2023-12-05

    Abstract: MOF衍生A位掺杂的ABO3型钙钛矿材料的制备方法和应用,它涉及ABO3型钙钛矿材料的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有方法制备的A位掺杂的ABO3型钙钛矿材料的制备方法单一,作为吸波材料使用时,吸波效果差的问题。不同于传统的溶胶‑凝胶而后高温煅烧的制备方法,本发明通过控制MOF基体水解过程,而后经高温煅烧,获得钙钛矿材料,并将其作为吸波材料应用于电磁波吸收领域。本发明制备的MOF衍生A位掺杂的ABO3型钙钛矿材料作为吸波材料使用时,在11GHz处获得‑62.6dB的反射损耗值,此时材料厚度仅为2.08mm。而当材料厚度为5mm时,其吸收频带可低至4GHz,可具有‑34dB的反射损耗值。

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