公开(公告)号：CN114959396B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202210426005.5

申请日：2022-04-22

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 郭政佑 ,  张贺新 ,  张斌 ,  韩仁恒 ,  李亚男 ,  尹红亮 ,  刘锦洋 ,  姜风春 ,  赵成志

IPC: C22C27/04 ,  C22C32/00 ,  B22F10/28 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10

Abstract: 一种点阵晶格结构的TiC/Mo合金及其选区激光熔化制备方法。本发明属于可设计结构的合金快速成型技术领域。本发明的目的是为了解决目前现有选区激光熔化制备的钼基合金由于密度大和常温高脆性等特点，使其无法满足以航空航天为主要代表的现代化装备零部件对于轻量化和结构刚性的需求的技术问题。本发明的一种点阵晶格结构的TiC/Mo合金由钼粉和碳化钛粉经选区激光熔化技术制备而成，TiC/Mo合金中碳化钛粉的质量分数为19％～21％。本发明创新的提出一种采用陶瓷脆性第二相复合强化常温高脆性基体的思路，通过材料成分的合理设计以及成型工艺的协同增效，实现了脆+脆＝韧性强化的预期目标，最终成型出可设计的具有复杂点阵结构的钼基合金。具有较好的力学性能和抗氧化性。

公开(公告)号：CN114959396A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210426005.5

申请日：2022-04-22

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 郭政佑 ,  张贺新 ,  张斌 ,  韩仁恒 ,  李亚男 ,  尹红亮 ,  刘锦洋 ,  姜风春 ,  赵成志

IPC: C22C27/04 ,  C22C32/00 ,  B22F10/28 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10

Abstract: 一种点阵晶格结构的TiC/Mo合金及其选区激光熔化制备方法。本发明属于可设计结构的合金快速成型技术领域。本发明的目的是为了解决目前现有选区激光熔化制备的钼基合金由于密度大和常温高脆性等特点，使其无法满足以航空航天为主要代表的现代化装备零部件对于轻量化和结构刚性的需求的技术问题。本发明的一种点阵晶格结构的TiC/Mo合金由钼粉和碳化钛粉经选区激光熔化技术制备而成，TiC/Mo合金中碳化钛粉的质量分数为19％～21％。本发明创新的提出一种采用陶瓷脆性第二相复合强化常温高脆性基体的思路，通过材料成分的合理设计以及成型工艺的协同增效，实现了脆+脆＝韧性强化的预期目标，最终成型出可设计的具有复杂点阵结构的钼基合金。具有较好的力学性能和抗氧化性。