公开(公告)号：CN118126319A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410248824.4

申请日：2024-03-05

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 武国华 ,  张力文 ,  张旭阳 ,  刘娜娜 ,  赵雪莹 ,  杜嘉伟

IPC: C08G73/06 ,  C08G12/08 ,  H05K9/00

Abstract: 一种POP@PPy电磁波吸收材料的制备方法和应用，它涉及一种电磁波吸收材料的制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有多孔有机聚合物导电性差、无法应用于吸波材料领域的技术问题。本发明基于聚吡咯共轭结构能传导电荷的性质，通过控制吡咯单体的引入量，以过硫酸铵为引发剂，在POP材料表面包覆聚吡咯，此复合材料内部的POP材料具有超大的比表面积，可为吡咯单体提供良好的聚合环境，同时调控复合材料的阻抗匹配；外部的PPy具有优异的导电性，可为复合材料提供导电损耗；两种材料交界处存在的异质界面可产生界面极化弛豫，加强复合材料对电磁波的损耗能力；POP@PPy电磁波吸收材料针对Ku波段的电磁波有优异的吸收性能。

公开(公告)号：CN117343321A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202311418112.4

申请日：2023-10-30

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 张旭阳 ,  汤朋 ,  杜嘉伟 ,  武国华 ,  李莽 ,  王向伟 ,  沙建军

IPC: C08G73/02 ,  C08K7/24 ,  C09K3/00

Abstract: 一种具有零维和一维空心结构的四氧化三铁/聚苯胺吸波复合材料的制备方法和应用，它属于电磁波吸收材料技术领域。本发明首先通过设计具有表面毛刺的空心1D结构来增加材料的表面积和孔隙结构；然后，通过引入0D磁性空心Fe3O4纳米球，原位聚合形成核壳结构，进一步提高材料的磁损耗和介电损耗能力，从而以提高电磁波吸收性能。本发明所制备的具有零维和一维空心结构的四氧化三铁/聚苯胺吸波复合材料在厚度1.84mm时的RLmin达到‑55.03dB，EAB为4.88GHz；厚度为1.88mm时，EAB为5.16GHz，此时RLmin仍保持在‑40.47dB；复合材料在RL、EAB和匹配厚度方面具有巨大优势。

公开(公告)号：CN117548684A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311514141.0

申请日：2023-11-14

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 张旭阳 ,  汤朋 ,  武国华 ,  王向伟 ,  杜嘉伟 ,  赵雪莹 ,  李莽

IPC: B22F9/24 ,  H05K9/00 ,  C08G73/06 ,  B22F1/0655 ,  B22F1/102

Abstract: 一种中空核壳结构Co@SiO2@PPy的制备方法和应用，它属于电磁波吸收材料技术领域。本发明首先通过溶剂热法制备了单分散的空心结构Co微球，空心结构减轻了Co的重量而不损失其磁损耗性能；然后通过改性stober法在Co微球表面包覆了SiO2，SiO2层的引入不仅能增强复合材料的界面极化，也能防止Co核被酸性溶液腐蚀，并且对Co的磁损耗能力没有明显的负面影响；最后通过原位聚合在SiO2层表面包覆了PPy；PPy由于其高电导率而具有很强的电导损耗，不需要高温煅烧即可获得高的介电损耗。一种中空核壳结构Co@SiO2@PPy作为电磁波吸收材料使用。

公开(公告)号：CN117625127A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311371845.7

申请日：2023-10-20

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 张旭阳 ,  汤朋 ,  杜嘉伟 ,  武国华 ,  李莽 ,  王向伟 ,  沙建军

IPC: C09K3/00 ,  H05K9/00

Abstract: 一种聚吡咯包覆空心四氧化三铁纳米球自组装纳米棒的制备方法和应用，它属于吸波材料技术领域。本发明以空心Fe3O4纳米球为核层，聚吡咯(PPy)为壳层，通过自组装制备得到一维纳米棒复合材料。Fe3O4纳米球的空心结构大大减小了材料重量。通过在磁场下自组装PPy包覆的Fe3O4纳米球形成一维结构，通过一维纳米棒之间的相互搭接，能有效在材料中形成导电网络，提高材料介电损耗，使其在低填充量下具有良好的吸波性能，从而降低吸波材料密度。一种聚吡咯包覆空心四氧化三铁纳米球自组装纳米棒作为电磁波吸收材料使用。本发明在吸波领域具有良好的应用前景，也可拓展其在超级电容器等领域的应用。

公开(公告)号：CN117362639A

公开(公告)日：2024-01-09

申请号：CN202311366787.9

申请日：2023-10-20

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王向伟 ,  汤朋 ,  张旭阳 ,  杜嘉伟 ,  武国华 ,  公言飞 ,  钱海宁

IPC: C08G73/06 ,  H05K9/00

Abstract: 一种具有径向电导率和介电常数梯度的聚吡咯微球的制备方法和应用，它涉及聚合物材料领域。本发明通过不断调节反应体系温度来调节聚吡咯的聚合反应速率，进而调控聚吡咯微球的径向电导率和介电常数分布。当反应体系温度低，聚合反应速率相对较慢，聚吡咯分子链规整排列使π共轭程度增加，分子链内及链间电荷转移能力强，聚合物电导率高且介电常数较大；反应体系温度升高，聚合反应速率较快，导致分子链来不及规整排列，π共轭度较差，聚合物电导率低且介电常数较小。本发明提供的聚吡咯微球具有径向电导率和介电常数梯度，可实现从微球核心到表层电导率和介电常数的梯度变化，应用于电磁波吸收领域可同时提供良好的阻抗匹配性能和介电损耗性能。