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公开(公告)号：CN109560816B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201811586985.5
申请日：2018-12-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种应用于12位低功耗流水线ADC中的改进的运算放大电路，包括PMOS管M1,PMOS管M2,PMOS管M3，PMOS管M4,NMOS管M5,NMOS管M6,NMOS管M7,NMOS管M8，耦合电容Cin1，耦合电容Cin2,负载电容CL1,负载电容CL2,电流源Ib，输入电压Vin+,输入电压Vin‑,共模电压Vcm，输出电压Vo+，输出电压Vo‑，第一开关s1,第二开关s2,第三开关s3,第四开关s4,第五开关s5,第六开关s6,第七开关s7,第八开关s8,第九开关s9,第十开关s10,第十一开关s11以及第十二开关s12。通过开关控制电路的充电状态和工作状态，提高了工作效率，采用两种互相耦合的电路结构，在降低功耗，节省芯片面积的同时提高共模抑制能力和电源抑制能力，对降低噪声有所改良。
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公开(公告)号：CN109347453A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811547360.8
申请日：2018-12-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: H03F3/45973 , H03F1/26 , H03F1/3205 , H03F1/3211 , H03F1/42 , H03F3/45179 , H03F3/45475
Abstract: 本发明公开了一种高线性精度的全差分放大器电路，所述整体电路主要包括运放输出级（1）、运放中间级（2）、运放输出级（3）、缓冲级（4）、共模反馈级（5）属于集成电路领域。为了提高电路的精度在运放中加入共模反馈级来稳定输出共模电平，从而提高电路的精度，另外改进了对于器件自身的特性沟道长度调制对输出共模电平所带来的影响。此外本发明改进了共源共栅电流源为两个管子级联的形式，在保证电路精度的同时，还提高了电路的相位裕度进而提高了电路的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110716604B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201910966437.3
申请日：2019-10-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于电流平整技术的抗功耗攻击的保护电路结构，包括电流感应模块（1），运算放大器模块（2），电流注入补偿模块（3），密码核心电路模块（8），频率切换控制模块（6）以及电压调节模块（7）。电流感应模块（1）检测密码核心电路电流Icore产生的变化电流ΔIcore镜像复制到下一级，电流注入补偿模块（3）中的高线性转换单元I→V（4）、高线性转换单元V→I（5）对变化电流ΔIcore和对电压ΔV的线性转换，变换电压ΔV和补偿电流ΔIJ的线性转换，将补偿电流ΔIJ对变化电流ΔIcore进行补偿，使密码核心电路从总电压源检测到的变化电流ΔItot保持恒定，达到电流平整的目的，本发明具有高线性转换特性，且能够实现在两种不同时钟频率下进行工作。
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公开(公告)号：CN110597339A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910961941.4
申请日：2019-10-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种保护密码芯片免受功耗分析攻击的电路，涉及模拟集成电路领域。该电路可与智能卡微控制器集成在同一芯片上，它包括参考电压模块(1)、检流模块(2)、密码系统模块(3)、运算放大器模块(4)、电流补偿模块(5)和电压调整模块(6)，本发明主要针对IC突增或突减可能影响电路平整效果的问题，通过MOS管开关合理控制I2的流入，且与电压调整模块(6)共同作用，加强平整效果，增大智能卡密码芯片的攻击难度。
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公开(公告)号：CN110716604A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910966437.3
申请日：2019-10-11
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于电流平整技术的抗功耗攻击的保护电路结构，包括电流感应模块（1），运算放大器模块（2），电流注入补偿模块（3），密码核心电路模块（8），频率切换控制模块（6）以及电压调节模块（7）。电流感应模块（1）检测密码核心电路电流Icore产生的变化电流ΔIcore镜像复制到下一级，电流注入补偿模块（3）中的高线性转换单元I→V（4）、高线性转换单元V→I（5）对变化电流ΔIcore和对电压ΔV的线性转换，变换电压ΔV和补偿电流ΔIJ的线性转换，将补偿电流ΔIJ对变化电流ΔIcore进行补偿，使密码核心电路从总电压源检测到的变化电流ΔItot保持恒定，达到电流平整的目的，本发明具有高线性转换特性，且能够实现在两种不同时钟频率下进行工作。
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公开(公告)号：CN109560816A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811586985.5
申请日：2018-12-25
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: H03M1/1245 , H03F3/45179 , H03M1/468
Abstract: 本发明公开了一种应用于12位低功耗流水线ADC中的改进的运算放大电路，包括PMOS管M1,PMOS管M2,PMOS管M3，PMOS管M4,NMOS管M5,NMOS管M6,NMOS管M7,NMOS管M8，耦合电容Cin1，耦合电容Cin2,负载电容CL1,负载电容CL2,电流源Ib，输入电压Vin+,输入电压Vin-,共模电压Vcm，输出电压Vo+，输出电压Vo-，第一开关s1,第二开关s2,第三开关s3,第四开关s4,第五开关s5,第六开关s6,第七开关s7,第八开关s8,第九开关s9,第十开关s10,第十一开关s11以及第十二开关s12。通过开关控制电路的充电状态和工作状态，提高了工作效率，采用两种互相耦合的电路结构，在降低功耗，节省芯片面积的同时提高共模抑制能力和电源抑制能力，对降低噪声有所改良。
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公开(公告)号：CN209462349U
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201822121839.7
申请日：2018-12-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种高线性精度的全差分放大器电路，所述整体电路主要包括运放输出级（1）、运放中间级（2）、运放输出级（3）、缓冲级（4）、共模反馈级（5）属于集成电路领域。为了提高电路的精度在运放中加入共模反馈级来稳定输出共模电平，从而提高电路的精度，另外改进了对于器件自身的特性沟道长度调制对输出共模电平所带来的影响。此外本实用新型改进了共源共栅电流源为两个管子级联的形式，在保证电路精度的同时，还提高了电路的相位裕度进而提高了电路的稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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