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公开(公告)号：CN100477272C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN03820547.5
申请日：2003-08-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/00
CPC classification number: H01L27/1292 , H01L29/42384 , H01L29/66765 , H01L29/78633 , H01L29/78696
Abstract: 一种TFT阵列基板包括薄膜晶体管部件，其中栅极形成在基板上，半导体层经栅极绝缘层形成在栅极上。这种TFT阵列基板的半导体层具有通过滴落液滴形成的形状。因而，可以通过滴落液滴直接形成半导体层或用于形成半导体层的抗蚀剂层。由此，本发明允许使用喷墨法，因而减少了制造工艺的成本和数量。
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公开(公告)号：CN1679152A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03820447.9
申请日：2003-06-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L29/786 , B41J2/01 , H05K3/10
CPC classification number: B81C1/0046 , B41J2/1606 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H05K3/1241
Abstract: 本发明的图案形成基体材料在衬底上形成表示对液滴具有抗液性的抗水区域，和表示对液滴具有亲液性的亲水线。对上述亲水线进行表面处理，以便在液滴射中时，该液滴向箭头方向移动。由此，使该液滴不附着在不能附着液滴的区域，可以形成所要求的特性的图案。
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公开(公告)号：CN100444404C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN03820007.4
申请日：2003-07-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/66765 , G02F1/1368 , H01L29/41733 , H01L29/41758
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括：(i)半导体层，其面向栅极，并且在所述半导体层和所述栅极之间存在栅绝缘层，(ii)源极和漏极，其与半导体层电连接，以及(iii)源极和漏极之间的沟道部，其中：通过施加电极原料的微滴形成所述源极和所述漏极，并且，所述源极和所述漏极形成有分支电极，所述分支电极的至少在所述半导体层区域内的部分形成为多个分叉部分，所述源极的分支电极和所述漏极的分支电极交替地配置，所述分支电极的分叉部分被设置在所述半导体层区域之外的位置。通过采用这种设置，在通过施加电极原料的微滴形成源极和漏极中，可以确定地避免每一电极之间沟道部上溅射微滴的粘附。本发明还提供一种薄膜晶体管的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1679170A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03820007.4
申请日：2003-07-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/66765 , G02F1/1368 , H01L29/41733 , H01L29/41758
Abstract: 本发明的薄膜晶体管的制备方法包括步骤：(i)通过施加电极原料的微滴形成其中形成有源极和漏极的电极形成区域，(ii)施加电极原料的微滴到远离半导体层的形成区域的滴落位置之上，并施加电极原料的微滴于电极形成区域中，以及(iii)在电极形成区域中形成源极和漏极。通过采用这种设置，在通过施加电极原料的微滴形成源极和漏极中，可以确定地避免每一电极之间通道部分上溅射微滴的粘附。
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公开(公告)号：CN100353507C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN03820447.9
申请日：2003-06-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L29/786 , B41J2/01 , H05K3/10
CPC classification number: B81C1/0046 , B41J2/1606 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H05K3/1241
Abstract: 本发明的图案形成基体材料在衬底上形成表示对液滴具有抗液性的抗水区域，和表示对液滴具有亲液性的亲水线。对上述亲水线进行表面处理，以便在液滴射中时，该液滴向箭头方向移动。由此，使该液滴不附着在不能附着液滴的区域，可以形成所要求的特性的图案。
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公开(公告)号：CN1679171A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03820547.5
申请日：2003-08-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/00
CPC classification number: H01L27/1292 , H01L29/42384 , H01L29/66765 , H01L29/78633 , H01L29/78696
Abstract: 一种TFT阵列基板包括薄膜晶体管部件，其中栅极形成在基板上，半导体层经栅极绝缘层形成在栅极上。这种TFT阵列基板的半导体层具有通过滴落液滴形成的形状。因而，可以通过滴落液滴直接形成半导体层或用于形成半导体层的抗蚀剂层。由此，本发明允许使用喷墨法，因而减少了制造工艺的成本和数量。
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公开(公告)号：CN101393935B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810173804.6
申请日：2003-07-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/08 , H01L29/417 , H01L21/336 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/66765 , G02F1/1368 , H01L29/41733 , H01L29/41758
Abstract: 本发明的薄膜晶体管的制备方法包括步骤：(i)通过施加电极原料的微滴形成其中形成有源极和漏极的电极形成区域，(ii)施加电极原料的微滴到远离半导体层的形成区域的滴落位置之上，并施加电极原料的微滴于电极形成区域中，以及(iii)在电极形成区域中形成源极和漏极。通过采用这种设置，在通过施加电极原料的微滴形成源极和漏极中，可以确定地避免每一电极之间通道部分上溅射微滴的粘附。
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公开(公告)号：CN101393935A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810173804.6
申请日：2003-07-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/08 , H01L29/417 , H01L21/336 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/66765 , G02F1/1368 , H01L29/41733 , H01L29/41758
Abstract: 本发明的薄膜晶体管的制备方法包括步骤：(i)通过施加电极原料的微滴形成其中形成有源极和漏极的电极形成区域，(ii)施加电极原料的微滴到远离半导体层的形成区域的滴落位置之上，并施加电极原料的微滴于电极形成区域中，以及(iii)在电极形成区域中形成源极和漏极。通过采用这种设置，在通过施加电极原料的微滴形成源极和漏极中，可以确定地避免每一电极之间通道部分上溅射微滴的粘附。
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