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公开(公告)号：CN104885007B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201380068026.3
申请日：2013-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133345 , G02F1/1337 , G02F1/134363 , G02F1/13439
Abstract: 阵列基板(11b)包括：第一导电膜；第二导电膜，其配置在第一导电膜靠的上层侧，至少一部分俯视时与第一导电膜重叠；绝缘膜，其以介于第一导电膜与第二导电膜之间的方式配置，具有接触孔，该接触孔以在俯视时与第一导电膜和第二导电膜重叠的位置开口的方式形成，由此将第二导电膜与第一导电膜连接；取向膜(11e)，其配置在第二导电膜的上层侧，具有俯视时与接触孔重叠的部分和俯视时与接触孔不重叠的部分；和弯曲部(43)，其由绝缘膜中的接触孔的开口边缘的至少一部分构成，以俯视时在内侧形成优角的方式弯曲。
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公开(公告)号：CN105556382B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201480052040.9
申请日：2014-07-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1337
Abstract: 阵列基板(11b)包括：被划分为显示区域(AA)和非显示区域(NAA)的玻璃基板(GS)；以跨越显示区域(AA)和非显示区域(NAA)的方式配置的有机绝缘膜(40)；以与有机绝缘膜(40)的表面重叠的方式设置的阵列基板侧取向膜(11e)；配置在非显示区域(NAA)并且以使有机绝缘膜(40)的表面部分地凹陷的方式设置的成膜范围限制部(28)；和取向膜材料储存部(29)，其配置在非显示区域(NAA)中比成膜范围限制部(28)更靠近显示区域(AA)的位置，并且以使有机绝缘膜(40)部分地凹陷的方式设置，并且，其侧面的至少一部分相对于玻璃基板(GS)的板面的法线方向形成的角度，大于成膜范围限制部(28)的侧面相对于上述法线方向形成的角度。
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公开(公告)号：CN105556382A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480052040.9
申请日：2014-07-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/1337 , G02F1/133345 , G02F1/133711 , G02F1/1339 , G02F2001/133388
Abstract: 阵列基板(11b)包括：被划分为显示区域(AA)和非显示区域(NAA)的玻璃基板(GS)；以跨越显示区域(AA)和非显示区域(NAA)的方式配置的有机绝缘膜(40)；以与有机绝缘膜(40)的表面重叠的方式设置的阵列基板侧取向膜(11e)；配置在非显示区域(NAA)并且以使有机绝缘膜(40)的表面部分地凹陷的方式设置的成膜范围限制部(28)；和取向膜材料储存部(29)，其配置在非显示区域(NAA)中比成膜范围限制部(28)更靠近显示区域(AA)的位置，并且以使有机绝缘膜(40)部分地凹陷的方式设置，并且，其侧面的至少一部分相对于玻璃基板(GS)的板面的法线方向形成的角度，大于成膜范围限制部(28)的侧面相对于上述法线方向形成的角度。
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公开(公告)号：CN104885007A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068026.3
申请日：2013-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/133345 , G02F1/1337 , G02F1/134363 , G02F1/13439
Abstract: 阵列基板(11b)包括：第一导电膜；第二导电膜，其配置在第一导电膜靠的上层侧，至少一部分俯视时与第一导电膜重叠；绝缘膜，其以介于第一导电膜与第二导电膜之间的方式配置，具有接触孔，该接触孔以在俯视时与第一导电膜和第二导电膜重叠的位置开口的方式形成，由此将第二导电膜与第一导电膜连接；取向膜(11e)，其配置在第二导电膜的上层侧，具有俯视时与接触孔重叠的部分和俯视时与接触孔不重叠的部分；和弯曲部(43)，其由绝缘膜中的接触孔的开口边缘的至少一部分构成，以俯视时在内侧形成优角的方式弯曲。
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