公开(公告)号：CN107078182A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580057073.7

申请日：2015-07-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内桥正明 ,  夏秋和弘 ,  内田雅代 ,  泷本贵博

IPC: H01L31/10 ,  G01J1/42

CPC classification number: H01L27/14643 ,  G01J1/42 ,  H01L27/144 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14625 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/101 ,  H01L31/1013

Abstract: 本发明提供可实现紫外区域的灵敏度不均的降低以及可见光区域和红外光区域的噪声降低的受光器、便携式电子设备和受光器的制造方法。受光器(1)的第一受光元件(PD1)和第二受光元件(PD2)分别通过在第一导电型的P型衬底(P_sub)上形成第二导电型的N型势阱层(N_well)，在N型势阱层(N_well)内形成第一导电型的P型势阱层(P_well)，在P型势阱层(P_well)内形成第二导电型的N型扩散层(N)而形成。P型衬底P_sub、N型势阱层(N_well)和P型势阱层(P_well)在电气上为相同电位或者被短路。

公开(公告)号：CN107078182B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201580057073.7

申请日：2015-07-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内桥正明 ,  夏秋和弘 ,  内田雅代 ,  泷本贵博

IPC: H01L31/10 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明提供可实现紫外区域的灵敏度不均的降低以及可见光区域和红外光区域的噪声降低的受光器、便携式电子设备和受光器的制造方法。受光器(1)的第一受光元件(PD1)和第二受光元件(PD2)分别通过在第一导电型的P型衬底(P_sub)上形成第二导电型的N型势阱层(N_well)，在N型势阱层(N_well)内形成第一导电型的P型势阱层(P_well)，在P型势阱层(P_well)内形成第二导电型的N型扩散层(N)而形成。P型衬底P_sub、N型势阱层(N_well)和P型势阱层(P_well)在电气上为相同电位或者被短路。

公开(公告)号：CN109075178A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780024488.3

申请日：2017-03-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 本田大辅 ,  中野贵司 ,  川端优 ,  泷本贵博 ,  夏秋和弘 ,  內田雅代 ,  内桥正明

IPC: H01L27/14 ,  G02B5/30 ,  H04N5/369

Abstract: 实现一种具备使偏振特性提高的狭缝型的偏振滤光器的拍摄装置。拍摄装置(100)的偏振部(10)具备隔着电介质层(14)的第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)，在第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)的各偏振片层中，形成有沿规定的方向周期性地排列的多个狭缝(13)。第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)的形成材料及控制受光部(11)的动作的布线层的形成材料分别为选自Al、Si、Cu、Au、Ag、Pt、W、Ti、Sn、In、Ga、Zn或包含这些元素中的至少一个的化合物或合金的材料。