公开(公告)号：CN102939664B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201180030241.5

申请日：2011-05-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤田健治 ,  舩越康志 ,  冈宏幸 ,  冈本谕

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  B24B27/06

CPC classification number: H01L31/0682 ,  B24B27/0633 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其半导体装置的制造方法，在半导体基板（1）的表面形成有磨料粒痕（62），掺杂物扩散区域（3、5）具有：沿被包含在与磨料粒痕（62）的伸长方向所形成的角度为-5°~+5°的范围内的方向伸长的部分。

公开(公告)号：CN102939664A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201180030241.5

申请日：2011-05-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 藤田健治 ,  舩越康志 ,  冈宏幸 ,  冈本谕

IPC: H01L31/04 ,  B24B27/06 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L31/0682 ,  B24B27/0633 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其半导体装置的制造方法，在半导体基板（1）的表面形成有磨料粒痕（62），掺杂物扩散区域（3、5）具有：沿被包含在与磨料粒痕（62）的伸长方向所形成的角度为-5°~+5°的范围内的方向伸长的部分。

公开(公告)号：CN101079286A

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200710105179.7

申请日：2007-05-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈宏幸

IPC: G11B7/135

CPC classification number: G11B7/1376 ,  G11B7/1263 ,  G11B7/13925 ,  G11B11/10595 ,  H01S5/042 ,  H01S5/0683

Abstract: 本发明提供一种光学单元、光拾取装置以及光信息处理装置。在光拾取装置本体(31)的准直透镜(22)与物镜(24)的光路途中，在扩展到向物镜(24)射入的有效径(D1)之外的激光入射的位置上配设有APC用受光元件(13)。把校正球差时产生的、透射过准直透镜(22)后的光束(26)的发散度由APC用受光元件(13)来检测。光拾取装置(30)根据APC用受光元件(13)的输出信号由APC电路(32)进行运算，控制从LD驱动电路(10A)向LD(10)流动的电流，以使即使发散度变化也把从物镜(24)射出的光束的光量保持一定。