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公开(公告)号：CN1741294A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510096594.1
申请日：2005-08-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。该半导体发光器件包括n型电流扩散层3、n型AlInP覆层4、量子阱有源层5、p型AlInP覆层6、p型AlGaInP中间层7、p型GaInP结合接触层8、和结合到结合接触层8的p型GaP衬底10。p型GaP衬底10在量子阱有源层5的相对侧上具有倾斜的表面10a。量子阱有源层5中产生的且在LED中的反射表面上全反射的光束可以从倾斜的表面10a发射到外部。
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公开(公告)号：CN1495926A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03160266.5
申请日：2003-06-24
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/105
Abstract: 本发明公开了一种谐振腔型发光二极管，包括：由n型AlAs或Al0.5Ga0.5As制成的第一DBR；量子阱有源层；由p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P或Al0.5In0.5P制成的第二DBR；以及，位于n型GaAs衬底上的n型电流限制层。第一DBR和第二DBR形成谐振腔。量子阱有源层形成在谐振腔内驻波的波腹位置处。在第二DBR与电流限制层之间，提供有p型GaP蚀刻保护层，其具有通过用厚度除以电阻率而获得的1×103Ω或更高的值。由于电流限制层中形成的电流流动通道的电流几乎不会扩散到电流流动通道的外侧，所以几乎不会生成低电流密度区域而造成量子阱层响应速度的下降。因此，该发光二极管有很好的高速响应。
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公开(公告)号：CN1630109A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410010488.2
申请日：2004-10-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079
Abstract: 本发明公开一种具有半导体压层的半导体发光元件，该压层包括有源层以及阶梯，其中，该有源层发射出预定发射波长的光，该阶梯位于超过该有源层的深度位置处。该元件还具有相对发射波长透明的衬底，位于该半导体压层的一个表面上的第一电极，以及位于该阶梯上的第二电极。相对发射波长透明的衬底提高了外发射效率。该第一和第二电极的位置基本阻止了电流流过半导体压层和衬底之间的直接连接介面。即使在该直接连接介面中由于小丘等而产生不完全连接的情况下，该元件也展现了良好的电特性。
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公开(公告)号：CN1497746A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN200310101530.7
申请日：2003-10-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 由单层或多层半导体层组成的发光层4在未掺杂型、弱p型，或者n型第一半导体衬底上进行层叠。由单层或多层组成的n型半导体层5－7在该发光层4上进行层叠。对于发光层4所发射光的波长透明的第二半导体层8在n型半导体层7的表面形成。然后，第一半导体衬底被去除。对于发光层所发射光的波长透明的透明电极层9在通过去除第一半导体衬底所暴露的平面上形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100474643C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510096594.1
申请日：2005-08-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/38
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。该半导体发光器件包括n型电流扩散层3、n型AlInP覆层4、量子阱有源层5、p型AlInP覆层6、p型AlGaInP中间层7、p型GaInP结合接触层8、和结合到结合接触层8的p型GaP衬底10。p型GaP衬底10在量子阱有源层5的相对侧上具有倾斜的表面10a。量子阱有源层5中产生的且在LED中的反射表面上全反射的光束可以从倾斜的表面10a发射到外部。
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公开(公告)号：CN100399587C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200410010488.2
申请日：2004-10-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/0079
Abstract: 本发明公开一种具有半导体压层的半导体发光元件，该压层包括有源层以及阶梯，其中，该有源层发射出预定发射波长的光，该阶梯位于超过该有源层的深度位置处。该元件还具有相对发射波长透明的衬底，位于该半导体压层的一个表面上的第一电极，以及位于该阶梯上的第二电极。相对发射波长透明的衬底提高了外发射效率。该第一和第二电极的位置基本阻止了电流流过半导体压层和衬底之间的直接连接介面。半导体压层的阶梯和直接连接介面之间的厚度不小于1μm且不大于4μm。即使在该直接连接介面中由于小丘等而产生不完全连接的情况下，该元件也展现了良好的电特性。
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公开(公告)号：CN100385692C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200410090081.5
申请日：2004-11-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/0079
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法。本发明以低成本和高成品率提供并制造了一种半导体发光器件，该器件允许发射层中产生的光不仅从其顶部表面而且从其侧表面发出，并且该器件具有高亮度。AlGaInP基半导体发光器件具有设置在发射层(3)和对来自发射层(3)的发射波长透明的透明衬底(2)之间的由(AlyGa1-y)zIn1-zP(0≤y≤1，0＜z＜1)制成的接触层(8)。
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公开(公告)号：CN1319183C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200310101530.7
申请日：2003-10-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 由单层或多层半导体层组成的发光层4在未掺杂型、弱p型，或者n型第一半导体衬底上进行层叠。由单层或多层组成的n型半导体层5-7在该发光层4上进行层叠。对于发光层4所发射光的波长透明的第二半导体层8在n型半导体层7的表面形成。然后，第一半导体衬底被去除。对于发光层所发射光的波长透明的透明电极层9在通过去除第一半导体衬底所暴露的平面上形成。
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