公开(公告)号：CN111886681B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201880091427.3

申请日：2018-03-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 本城正智 ,  松木园广志 ,  松尾拓哉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的显示装置具备：基板、设置在基板上的第一晶体管、以不与第一晶体管重叠的方式设置在基板上的第二晶体管。第一晶体管具备：设置在基板上的多晶硅层、设置在多晶硅层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第一栅电极、设置在第一栅电极上的第二绝缘膜。第二晶体管具备：设置在第一绝缘膜上的氧化物半导体层、设置在氧化物半导体层上的第三绝缘膜、设置在第三绝缘膜上的第二栅电极。第一以及第三绝缘膜是SiOx膜。第二绝缘膜是含氢的SiNx膜，并且以与多晶硅层重叠的方式设置，并且以不与氧化物半导体层重叠的方式设置。

公开(公告)号：CN111886681A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201880091427.3

申请日：2018-03-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 本城正智 ,  松木园广志 ,  松尾拓哉

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的显示装置具备：基板、设置在基板上的第一晶体管、以不与第一晶体管重叠的方式设置在基板上的第二晶体管。第一晶体管具备：设置在基板上的多晶硅层、设置在多晶硅层上的第一绝缘膜、设置在第一绝缘膜上的第一栅电极、设置在第一栅电极上的第二绝缘膜。第二晶体管具备：设置在第一绝缘膜上的氧化物半导体层、设置在氧化物半导体层上的第三绝缘膜、设置在第三绝缘膜上的第二栅电极。第一以及第三绝缘膜是SiOx膜。第二绝缘膜是含氢的SiNx膜，并且以与多晶硅层重叠的方式设置，并且以不与氧化物半导体层重叠的方式设置。