公开(公告)号：CN102859725A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019633.1

申请日：2011-02-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷本佳美 ,  园田孝德 ,  池田英明

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件的制造方法，其用于制造具有如下特征的化合物半导体发光元件：导电性薄膜（8）的透射率高、接触电阻低且导电性薄膜（8）的薄层电阻低。本发明的化合物半导体发光元件的制造方法的特征在于，包括：在基板（1）上形成由III族氮化物半导体构成且包含发光层（3）的半导体层的步骤；在半导体层与基板（1）相接一侧的相反侧形成导电性薄膜（8）的步骤；在含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行一次退火的步骤；在不含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行二次退火的步骤；在进行一次退火的步骤与进行二次退火的步骤之间，将导电性薄膜（8）暴露于大气的步骤。

公开(公告)号：CN102859725B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201180019633.1

申请日：2011-02-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 谷本佳美 ,  园田孝德 ,  池田英明

IPC: H01L33/36

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体发光元件的制造方法，其用于制造具有如下特征的化合物半导体发光元件：导电性薄膜（8）的透射率高、接触电阻低且导电性薄膜（8）的薄层电阻低。本发明的化合物半导体发光元件的制造方法的特征在于，包括：在基板（1）上形成由III族氮化物半导体构成且包含发光层（3）的半导体层的步骤；在半导体层与基板（1）相接一侧的相反侧形成导电性薄膜（8）的步骤；在含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行一次退火的步骤；在不含氧的环境下对导电性薄膜（8）进行二次退火的步骤；在进行一次退火的步骤与进行二次退火的步骤之间，将导电性薄膜（8）暴露于大气的步骤。