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发明公开
半导体器件及包括该半导体器件的光学器件无效

公开(公告)号：CN1472822A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03147512.4

申请日：2003-07-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 细川诚 , 泷本贵博 , 笠松利光

IPC: H01L31/10 , H01L27/14

CPC classification number: H01L31/103 , H01L31/02162 , H01L31/125

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及包括该半导体器件的光学器件，在该半导体器件中，在光电二极管的光接收面所处的区域(S)中，在对第一互连(15)和第二互连(17)进行构图时，相应的层被移除。在分别形成第二层间绝缘膜(13)和覆盖绝缘膜(18)后，同样，相应的层被移除。另一方面，在光电二极管的光接收面所处的区域(S)中，保护绝缘膜(20)未通过蚀刻移除，并且抗反射涂层(16)仍然由保护绝缘膜(20)覆盖。因此，所得的半导体器件在不降低光反射率的同时减少了工艺步骤的个数，并且同样可以获得一种光学器件。

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